微通道板BeO防离子反馈膜粒子阻透率的模拟研究

带有防离子反馈膜的微通道板是第三代微光像增强器件中的核心部件。文章阐述了防离子反馈膜的电子透过、离子阻止特性,利用Monte-Carlo模拟方法计算了氧化铍和三氧化二铝防离子反馈膜电子透过率和离子阻止率在不同条件下的变化曲线。模拟结果表明,氧化铍薄膜比三氧化二铝薄膜的电子透过特性好,而三氧化二铝薄膜比氧化铍薄膜的离子阻止本领好,证实了氧化铍作为防离子反馈膜的可行性。

蒙特卡罗粒子输运模拟在离子注入研发中的应用

离子注入材料的微观过程和现象,如射程分布、能量损失、溅射和次级射线产生,通过实验手段通常难以直接观察,采用蒙特卡罗粒子输运计算方法,可以较为直观地对相关过程进行计算和展示。使用蒙特卡罗粒子输运程序SRIM和FLUKA计算分析离子注入过程中涉及到的射程分布、能量损失、溅射率、X射线分布等参数,证明蒙特卡罗方法可以有效地用于离子注入相关的设备和工艺设计。

微通道板离子壁垒膜粒子阻透特性的蒙特卡罗模拟(英文)

在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命。为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230～240 V和220～230 V之间;输入能量0.24 keV时背散射电子数最高达19%左右;输入能量0.8 keV时,Al2O3膜电子透过率为87.16%,SiO2膜为88.12%,电子透过的极限膜厚前者为15 nm,后者为16 nm;对于输入能量0.26 keV的C+、N+、O+离子,Al2O3膜的离子阻当率为95%～99%;Al2O3离子壁垒膜在厚度5 nm时具有较好的电子透过率和较高的离子阻挡率。

基于智能算法的CR39径迹刻蚀过程模拟

CR39可以用于激光等离子物理实验中的离子探测,并给出离子数目、种类和能量信息。通过采用唯象模型,利用离子在CR39中径迹形成的阻止本领动力学方程以及粒子群智能算法对径迹形成的过程进行了数值化模拟,研究了CR39中离子径迹在刻蚀过程中的演化过程,获得了入射离子能量和径迹直径、深度的对应关系,并且发现当离子射程与刻蚀深度相等时,径迹深度最大,给出了利用总刻蚀时间计算最大径迹深度对应的临界能量的公式。

The Effect of Some Effective Quantities to Electronic Stopping Power

The dependences of effective quantities Z＊, Zt,/＊, （effective number of electrons for ionization and for quasi-molecule, effective mean excitation energy） on the incident ion energy have been studied for a pervious stopping power calculation method, and Bohr stripping criterion and quasi-molecule criterion in this regard have been discussed in some details. The effect of effective quantities to the obtained stopping power results is investigated by calculating stopping powers. The contributions to stopping power from the modified LSS and Bethe formulas have been calculated separately and compared in graphs of stopping power. The stopping power for lithium ions in the intermediate and higher energy region is found to be dominant due to excitation-ionization whereas quasi molecule criterion is dominant in the lower energy region.

双重辐射源^(9)C束流在其Bragg峰区对细胞致死效应增强的生物物理机制

相对12C束流而言,β缓发粒子衰变放射性9C束流在其Bragg峰区附近深度对细胞的致死效应明显增强,这已经在我们先前的研究中证实.9C束流的相对生物学效应(RBE)较12C束流要大1倍以上.本研究旨在探讨造成这一重要实验现象的生物物理机理.首先,建立模型计算了用于实验时产生的9C束流的阻止沉积几率密度分布,模型考虑了初始束流的动量分布,束流随贯穿深度增加由核反应导致的离子通量衰减和能量损失岐离等效应.发现9C束流对细胞致死效应增强的区域出现在入射9C离子的阻止沉积区域.其次,以9C束流入射处剂量为1Gy为例,根据计算得到的入射9C离子阻止分布几率密度推导了9C束流在不同贯穿深度上的沉积离子密度,进而得到了不同深度上每细胞内平均沉积9C离子数;同时,由相近剂量平均传能线密度(LET)深度上9C和12C束流实验上测得的细胞存活率推导出了9C及12C束流在这些深度上导致的每细胞平均致死事件数.研究结果表明,在照射剂量相同时每细胞平均沉积9C离子数与9C及12C束流每细胞平均致死事件数之差竟相吻合.由此推测,一个沉积9C离子将造成该细胞死亡.考虑到由9C衰变而发射低能粒子的性质,9C离子细胞中沉积可能会在该细胞中造成团簇损伤,因而本研究结果可作为辐射团簇损伤高效细胞致死的间接证据.

成功救治儿童硝苯地平中毒1例并复习文献

儿童硝苯地平中毒发生率低,儿科医师常容易漏诊误诊,回顾性分析湖北民族大学附属民大医院小儿内科成功救治1例硝苯地平中毒患儿的临床资料并复习相关文献,提高儿科医师对儿童药物中毒认识,拓宽诊疗思路,总结救治经验。