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基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
1
作者
严炳辉
李斌
+1 位作者
姚若河
吴为敬
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期64-68,125,共6页
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多...
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.
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关键词
多晶硅
薄膜晶体管
电流模型
离散晶界
表面势
有效迁移率
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职称材料
题名
基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
1
作者
严炳辉
李斌
姚若河
吴为敬
机构
华南理工大学电子与信息学院
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期64-68,125,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776020)
国际合作项目(B14D8061610)
华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(x2clD2104790)
文摘
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.
关键词
多晶硅
薄膜晶体管
电流模型
离散晶界
表面势
有效迁移率
Keywords
polysilion
thin film transistor
current model
discrete grain boundary
surface potential
effective mobility
分类号
TP321 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
严炳辉
李斌
姚若河
吴为敬
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
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