倒芯片互连用的高密度积层封装基板——DSOL技术

概述了NEC开发的新型高密度封装用积层基板技术:DSOL,它以高解像度的勿系树脂为绝缘层,形成高膜厚/孔径比的微细导通孔,采用溅射薄膜和半家成镀工艺形成微细铜导体,适用于多针数区域阵列倒芯片封装用基板。

对有核与无核多层基板的供电网络分析

由于具有高密度布线能力和相对合理的成本,在特殊用途集成电路(ASI Cs)的倒装封装中使用叠积层式(bui l d-up)有机基板非常受欢迎。典型的叠积层式基板包括核层和其双侧的高密度布线层(叠积层)。核层为封装提供所需刚度,其厚度可以是400μm,600μm,或800μm。新兴的无核基板技术去除了核层,可以提高布线密度,减薄封装,和获得更好的电气性能。本文比较了8层有核与无核基板在31mm和900锡球封装中的核心供电网络(PDN)的性能。在50MHz到2GHz频域内,我们用矢量网络分析仪测得两路高频S参数以分析相应的PDN。测量与模拟结果十分吻合。另外,我们还在时域内模拟计算了PDN对瞬变电流的响应。