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题名积层电路板制造用感光绝缘材料的合成研究
被引量:1
- 1
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作者
周亮
程江
左萌
杨卓如
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机构
华南理工大学化工研究所
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出处
《材料开发与应用》
CAS
2003年第1期30-33,共4页
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文摘
用丙烯酸改性环氧树脂的方法 ,合成出了环氧丙烯酸酯预聚物 ,并将其用于形成积层电路板永久绝缘内层的UV光固化油墨的新配方中。研究了反应温度 ,催化剂 ,阻聚剂等因素对合成过程和产品的影响。结果表明 ,最佳反应工艺条件是反应温度 90℃ ,催化剂为N ,N 甲基苯胺 ,用量 1 % ,阻聚剂为对苯二酚 ,用量0 .5 %。
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关键词
积层电路板
感光绝缘材料
丙烯酸
改性
环氧树脂
印刷电路板
环氧丙烯酸酯预聚物
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Keywords
Epoxy acrylate
Photo-imageable dielectric material
Build up board
UV curing
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分类号
TM215.1
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名积层电路板用UV感光预聚物的合成
被引量:1
- 2
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作者
王斋民
文秀芳
皮丕辉
程江
杨卓如
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机构
华南理工大学化学工程研究所
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出处
《合成材料老化与应用》
2005年第4期6-9,共4页
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基金
广东省自然科学基金资助项目(编号:031422)
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文摘
通过在酚醛环氧树脂中引入烯丙基,以实现树脂的感光性,考察了四种催化剂和其不同用量及两种阻聚剂对反应的影响,利用配比不同的丙烯酸和酚醛环氧树脂合成出的感光预聚物,研究了其对感光组合物性能的影响。结果表明:催化剂的催化活性依次为十六烷基三甲基溴化铵>三乙胺>N,N-二甲基苯胺>三乙醇胺;以十六烷基三甲基溴化铵为催化剂时其合适用量为1.5%;阻聚剂以对苯二酚为佳;当丙烯酸与酚醛环氧树脂的环氧基当量比为0.8时,以其改性产物配制的感光组合物的固化膜的附着力为一级,硬度为6H,具有良好的耐酸、耐碱和耐溶剂性。
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关键词
感光预聚物
酚醛环氧树脂
积层电路板
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Keywords
photosensitive resin, novolac epoxy resin, Build-up Muhilayer Board
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分类号
TQ323.1
[化学工程—合成树脂塑料工业]
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题名积层电路板制造用光敏预聚物的合成及应用研究
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作者
李爱君
丁洁
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机构
浙江衢化氟化学有限公司
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出处
《化学推进剂与高分子材料》
CAS
2007年第4期41-44,共4页
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文摘
用丙烯酸对酚醛环氧树脂进行改性,以使其具有感光性。考察温度及催化剂用量对反应的影响,并介绍积层电路板制造用液态感光成像油墨的配方和制作工艺,分析以合成的光敏预聚物为主体配制的油墨的感光性。结果发现,合适的反应温度为90℃,反应5h,转化率达91.83%;以十六烷基三甲基溴化铵为催化剂,其质量分数以1.5%为宜;以自制的光敏预聚物配制的油墨,在曝光20s时,双键的转化率可达80%以上。
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关键词
酚醛环氧树脂
积层电路板
光敏预聚物
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Keywords
phenolic epoxy resin
multilayer circuit board
photosensitive prepolymer
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分类号
TQ320.7
[化学工程—合成树脂塑料工业]
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题名积层多层印制电路板压合空洞影响因素研究及改善
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作者
赵刚俊
王洪府
纪成光
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机构
生益电子股份有限公司
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出处
《印制电路信息》
2018年第A02期164-176,共13页
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文摘
文章通过从原理上分析层压空洞产生的原因并结合缺陷板的分析。找出积层式多层印制电路板在半固化片压合铜箔过程中产生层压空洞缺陷的主要影响因素,包括基材区大小、基材区叠加、铜厚、半固化片树脂含量和升温速率与转压点等。通过正交试验优化升温速率、转压点、铜厚、和缓冲材料等关键参数,得到最终优化的控制方法:改善措施的实施后.使用低树脂含量的半固化片时的层压空洞缺陷率由改善前的76.5%降低至2%左右。并且呈现出持续改善的趋势。
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关键词
积层多层电路板
压合空洞
低树脂含量
升温速率
铜厚
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Keywords
Build-Up Multilayer Board
Lamination Void
Low Resin Content
Heating Rate
Copper Thickness
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名激光钻孔技术在积层多层印制电路板上的实际应用
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作者
源明
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出处
《印制电路与贴装》
2001年第5期18-24,共7页
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关键词
激光钻孔技术
积层多层印制电路板
微电子
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名CPCA新书介绍
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出处
《印制电路信息》
2003年第12期32-32,共1页
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关键词
《现代印制电路先进技术》《中国印制电路行业指南》
《高密度柔性电路板》
《积层印制电路板》
新书介绍
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
G236
[文化科学]
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