一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法 ,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场 )进行检查 .基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图 ,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形 ,并给出相关的修改建议 .

移相掩模技术

对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2～0.3μm LSI的设计。

侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用

提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.

采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅

介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。

100nm分辨率的移相掩模技术

介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。

100 nm分辨率交替式移相掩模设计

讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。

移相掩模技术及其发展前景

移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩模基本原理、结构工艺改进以及最新应用成果的基础上,展望了光学微细加工技术的发展前景。并指出,在大力研制高性能实用步进曝光设备的同时,重点研究移相掩模或移相光刻技术,已成为迅速改变我国光学微细加工技术落后面貌的必由之路。

移相掩模为光学微细加工技术增添新武器

通过对国外光学微细加工技术发展现状的介绍,和对提高光学成像分辨率的各种途径的分析比较,提出了在加强光学曝光设备和抗蚀剂材料工艺开发的同时,立即着手研究移相掩模技术的主张。

移相掩模技术改进了i-线光刻的分辨率

在目前的64MbDRAM及不久的将来256MbDRAM的研制中,要求能描绘0.5μm以下,即亚半微米的特征尺寸,电子束和x射线光刻已被研究用于这些目的。另外,缩小投影曝光技术由于其适用性广及产量高,也将成为制造具有亚半微米特征尺寸的DRAM的主要方法。

适用于移相掩模的光刻模拟

引言 1990年处于这样一种状况,各DRAM厂家都结束了16M DRAM的开发而开始了正式的试制,并着手开发更大容量的64M DRAM。据报导,这一年中,16M DRAM的最小加工尺寸已达到0.5μm,64M DRAM已达到0.35μm。其中,0.5μm的最小加工尺寸是由采用NA0.5左右透镜的缩小投影曝光实现的。而要实现0.35μm的线宽必须采用i线曝光,不过,如果仅是采用i线源和高NA化透镜,在焦深等方面却又不尽人意。当前,光刻技术在透镜和抗蚀剂方面的改进已接近极限。

移相掩模技术

1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有180°的相位差而产生的相消干涉作用,使窗孔之间的光强减小,从而增大了投影图象的反差,提高了分辨能力。从1982年到1988年,移相掩模技术一直没有受到足够的重视。

采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻

本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。

具有高透明SiO_2移相器的新的移相掩模

使用移相掩模能实现亚半微米光学光刻。我们提出了一种用SiO_2作移相器的新的移相掩模。在石英掩模衬底上的SiO_2移相器具有在远紫外区吸收率低和没有多次干涉等优点。SiO_2移相器是通过将蒸发的SiO_2膜剥离而制成的。这种新的移相掩模对远紫外光有高的透明度,并在5X步进机的整个曝光视场内达到2％的移相均匀度。通过使用KrF准分子激光器步进机和这种新的移相掩模提高了分辨率,得到0.25μm的线条和间隔。使用移相掩模后,掩模图形与投影到片子上的图形的一致性降低,因此我们也研究了用移相掩模投影的成像特性,指出了各个窗孔的衍射图形的主、次波瓣之间的干涉的重要性,并阐明了在使用移相掩模的光学光刻中一致性衰减的机理。

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展，然而在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高，当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述，并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。

基于模型的光学校正系统的设计与实现

为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正.

成品率驱动的光刻校正技术

光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制造中关键的技术。简要介绍了几种典型的光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导。

i线光学光刻技术及其发展潜力

综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术，可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。

光学光刻的波前工程

介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。

深亚微米光学光刻工艺技术

光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。