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移相掩模技术
被引量:
1
1
作者
孙再吉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期275-280,共6页
对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2~0.3μm LSI的设计。
关键词
移相掩模技术
集成电路
分辨率
下载PDF
职称材料
采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
2
作者
杨中月
付兴昌
+1 位作者
宋洁晶
孙希国
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第6期372-375,共4页
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术...
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。
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关键词
深紫外光刻
负性化学放大胶
“T”型栅
移相掩模技术
分辨率增强
技术
砷化镓PHEMT
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职称材料
移相掩模技术
3
作者
钱小工
韩安云
《半导体情报》
1992年第3期44-45,F003,共3页
1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有18...
1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有180°的相位差而产生的相消干涉作用,使窗孔之间的光强减小,从而增大了投影图象的反差,提高了分辨能力。从1982年到1988年,移相掩模技术一直没有受到足够的重视。
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关键词
移
相
掩模
移相掩模技术
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职称材料
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
4
作者
Hideyuki Jinbo
江泽流
《半导体情报》
1992年第5期26-30,共5页
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器...
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。
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关键词
移
相
器
移相掩模技术
光刻
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职称材料
提高分辨率增大焦深的光学光刻新技术
5
作者
刘文辉
《电子工业专用设备》
1995年第1期24-29,共6页
提高分辨率,增大焦深,是限制光学光刻发展的主要因素。本文通过对光学光刻现状及潜能的分析,说明光学光刻可实现亚半微米IC的工业化生产。进而阐述了既可改善焦深又能提高分辨率的光学光刻新技术。
关键词
光学光刻
分辨率
焦深
移相掩模技术
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职称材料
制版、光刻、腐蚀与掩模工艺
6
《电子科技文摘》
2000年第4期38-38,共1页
0005792改进定标曝光场的对准精度[刊,译]//电子工业专用设备.—1999,(4).—51~56(A)00057930.30μmi 线光刻的精确套准控制[刊.译]//电子工业专用设备.—1999,(4),—42~46(A)
关键词
专用设备
电子工业
光学光刻
技术
对准精度
腐蚀
移相掩模技术
制版
工艺
定标
极紫外光刻
技术
原文传递
题名
移相掩模技术
被引量:
1
1
作者
孙再吉
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期275-280,共6页
文摘
对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2~0.3μm LSI的设计。
关键词
移相掩模技术
集成电路
分辨率
Keywords
Resolution,Focus Depth,Destructive Interference Action
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
2
作者
杨中月
付兴昌
宋洁晶
孙希国
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第6期372-375,共4页
文摘
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。
关键词
深紫外光刻
负性化学放大胶
“T”型栅
移相掩模技术
分辨率增强
技术
砷化镓PHEMT
Keywords
DUV
negative chemical amplified photoresist
T-shaped gate
phase-shifting mask technology
resolution enhancement technology (RET)
GaAs PHEMT
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
移相掩模技术
3
作者
钱小工
韩安云
出处
《半导体情报》
1992年第3期44-45,F003,共3页
文摘
1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有180°的相位差而产生的相消干涉作用,使窗孔之间的光强减小,从而增大了投影图象的反差,提高了分辨能力。从1982年到1988年,移相掩模技术一直没有受到足够的重视。
关键词
移
相
掩模
移相掩模技术
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
4
作者
Hideyuki Jinbo
江泽流
出处
《半导体情报》
1992年第5期26-30,共5页
文摘
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。
关键词
移
相
器
移相掩模技术
光刻
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
提高分辨率增大焦深的光学光刻新技术
5
作者
刘文辉
机构
电子工业部第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
1995年第1期24-29,共6页
文摘
提高分辨率,增大焦深,是限制光学光刻发展的主要因素。本文通过对光学光刻现状及潜能的分析,说明光学光刻可实现亚半微米IC的工业化生产。进而阐述了既可改善焦深又能提高分辨率的光学光刻新技术。
关键词
光学光刻
分辨率
焦深
移相掩模技术
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
制版、光刻、腐蚀与掩模工艺
6
出处
《电子科技文摘》
2000年第4期38-38,共1页
文摘
0005792改进定标曝光场的对准精度[刊,译]//电子工业专用设备.—1999,(4).—51~56(A)00057930.30μmi 线光刻的精确套准控制[刊.译]//电子工业专用设备.—1999,(4),—42~46(A)
关键词
专用设备
电子工业
光学光刻
技术
对准精度
腐蚀
移相掩模技术
制版
工艺
定标
极紫外光刻
技术
分类号
TN [电子电信]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
移相掩模技术
孙再吉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992
1
下载PDF
职称材料
2
采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
杨中月
付兴昌
宋洁晶
孙希国
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
3
移相掩模技术
钱小工
韩安云
《半导体情报》
1992
0
下载PDF
职称材料
4
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
Hideyuki Jinbo
江泽流
《半导体情报》
1992
0
下载PDF
职称材料
5
提高分辨率增大焦深的光学光刻新技术
刘文辉
《电子工业专用设备》
1995
0
下载PDF
职称材料
6
制版、光刻、腐蚀与掩模工艺
《电子科技文摘》
2000
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