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亚波长光刻技术与IC设计
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作者 王正华 《中国集成电路》 2003年第51期73-78,共6页
亚波长光刻当集成电路产业在1999年开始跨进0.18um特征尺寸阶段时,它也就进入了光刻工艺技术的亚波长时期。在此时期领先的集成电路制造商生产的器件,其特征尺寸短于光刻爆光的光波波长。正如图1所示,0.18um和0.
关键词 亚波长光刻 IC设计 集成电路 光学邻近矫正 移相掩模版 分辨率增强技术
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