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不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响
被引量:
6
1
作者
张丽萍
苗如林
+7 位作者
沈正皓
郭立
陈庆敏
林海
李春
李建勳
曾繁明
刘景和
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期59-63,共5页
采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研...
采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。
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关键词
蓝宝石
碳化硼磨料
移除速率
损伤层
粗糙度
原文传递
题名
不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响
被引量:
6
1
作者
张丽萍
苗如林
沈正皓
郭立
陈庆敏
林海
李春
李建勳
曾繁明
刘景和
机构
长春理工大学
南京京晶光电科技有限公司
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期59-63,共5页
基金
吉林省科技厅创新项目(20160414043GH)资助
文摘
采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。
关键词
蓝宝石
碳化硼磨料
移除速率
损伤层
粗糙度
Keywords
sapphire
boron carbide abrasive
particle size
removal rate
damage layer
surface roughness
分类号
O786 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响
张丽萍
苗如林
沈正皓
郭立
陈庆敏
林海
李春
李建勳
曾繁明
刘景和
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
6
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