稀土晶体及其制备工艺研究进展

稀土晶体材料由于其独特的磁学、光学等特性,广泛应用于光纤通讯、电子信息、航空航天、半导体、国防安全等领域。本文综述了坩埚下降法、提拉法、温度梯度法三种应用最为广泛的稀土激光晶体材料制备工艺国内最新研究进展,为稀土晶体材料的进一步研究提供了参考。

稀土功能材料的专利态势分析

本文针对稀土永磁材料、稀土发光材料、稀土催化材料、稀土抛光材料、稀土贮氢材料、稀土陶瓷材料、稀土晶体材料等7个关键技术领域进行检索分析,从专利申请趋势、申请人、技术分布、专利许可情况等方面进行了统计研究,结合非专利文献及行业报告等文献,可知,我国稀土功能材料专利申请整体呈现上涨态势,专利申请总量世界第一,但核心专利匮乏,且专利转化率低;日本、美国重视在我国的专利布局,但我国稀土功能材料专利海外布局量较少;针对上述问题提出了几点建议,一是跟踪并借鉴重点申请人以及热点领域的专利技术,促进提高创新能力,寻找专利布局机会;二是增强自主创新能力,发展有自主知识产权的稀土永磁材料,提高专利成果的转化率;三是建立稀土专利联盟,促进行业共同发展,共同应对来自国外的知识产权诉讼。

Defects in Tm^(3+)/Yb^(3+)-doped YVO_4 Crystals

The microscopic defects have been investigated for crystal Tm3+/Yb3+:YVO4. These defects mainly include the inclusions (solid inclusions, bubbles and inclusions of the liquid phase), dendrites and growth stripes. They are caused by in-pure raw materials, unstable growth conditions, super-cooling component and so on. Tm3+/Yb3+:YVO4 crystals of large size and excellent optical quality are grown by improving the growth conditions to eliminate these defects.