稀土硅化物合金中PH_3气体的逸出行为

通过水化实验 ,对稀土硅化物合金中逸出的PH3 气体进行了定性与定量分析。采用S30 0型扫描电子显微镜 ,分析了含P稀土硅化物合金的微观结构及P元素的分布特点 ,研究了稀土硅化物合金中PH3 气体的逸出现象与P元素存在形态的关系。结果表明 :合金中只有少量的P以气体形式放出 ,大部分的P仍稳定地存在于水化后的合金中 ;合金中PH3 气体的放出与合金中的RESi2

碳热法生产稀土硅化物合金的物料性质(Ⅰ)——热物性参数与电阻率

用非稳态热线法测定了碳热法生产稀土硅化物合金原料的导热系数 ,用激光脉冲法测定了稀土硅化物合金的导热系数、热扩散系数和比热容。在 2 88～ 1 573K内 ,原料的导热系数与温度的关系可表示为 :λ =2 .56×1 0 - 2 + 7.8× 1 0 - 4 T(W·m- 1 ·K- 1 ) ;在 2 88～ 1 2 73K内 ,稀土合金的导热系数与温度的关系可表示为 :λ =1 4.30- 7.4× 1 0 - 3 T(W·m- 1 ·K- 1 )。还测定了原料中两种稀土配碳团块在 773K和 1 2 73K焙烧后的电阻率。

碳热法生产稀土硅化物合金的物料性质(Ⅱ)——气孔率与抗压强度

测定了稀土矿加两种不同碳质还原剂的团块在常温下、773K焙烧后、1 573～ 1 773K分别焙烧后的气孔率与压制压力的关系 ,也测定了这两种团块在焙烧前、773K及 1 2 73～ 1 673K分别焙烧后的抗压强度与焙烧温度和时间的关系。

用沟道离子注入法研制稀土硅化物

用沟道离子注入法生成的稀土硅化物产物经背散射沟道分析、电镜分析和Ｘ射线衍射测 试表明：它具有很好的结晶品质（ＥｒＳｉ１．７的Ｘｍｉｎ值可低到１．５％）和很高的相稳定性。

含磷稀土硅化物合金粉化机制的微观研究

采用S3 0 0型扫描电子显微镜 ,对含磷稀土硅化物合金的微观组织结构进行研究 ,分析了合金中各物象的形貌特点、合金中各元素特别是P ,Ca ,Al等杂质元素的面分布规律 ,研究了合金中微孔区域的组成与分布。结果表明 :含磷稀土硅化物合金中只有少部分磷化物能够水化 ,生成氧化物或含磷氧化物 ,从而对合金粉化起作用 ;在本实验研究范围内 。

稀土硅化物制备及其研究进展

与一般的金属(Al,Cu,Ag和Au)及其硅化物相比,过渡金属硅化物具有更高的电导率和良好的热稳定性,受到广泛关注。其中,稀土金属与硅形成的稀土硅化物具有优异的光学、电子学性质,对新功能材料的开发起到重要作用。本文综述了稀土硅化物的特性、制备技术及其进展。介绍了稀土金属硅化物在器件方面的应用。

高含磷稀土硅化物合金的熔渣脱磷

为了降低稀土硅化物合金中有害杂质磷的含量 ,尝试了采用 Ca O- Ca F2 为基础渣系对合金进行脱磷实验。结果表明 :最佳脱磷时间为 15分钟 ;Ca O∶ Ca F2 为 5∶ 1既能保证脱磷效果 ,又有较好的流动性 ;渣比与脱磷率成正比 ;少量 Ba CO3、Fe2 O3能明显改善渣的脱磷能力。根据本研究结果进行的综合实验取得了较好的脱磷效果 ,脱磷率达 76 .7%

还原-硅化法制备稀土硅化物(NdSi_2,YSi_2)纳米晶及其性能(英文)

本文采用无水的氯化钕和氯化钇及硅粉作为起始原料,在高压釜中在650℃的温度条件下,通过还原鄄硅化途径成功地合成了硅化钕(NdSi2)和硅化钇(YSi2)。X射线衍射结果显示他们分别是四方相的二硅化钕和六方相的二硅化钇结构。透射电镜照片表明他们的平均粒径分别是40nm和60nm。样品的光致发光结果说明他们在波长分别为441nm和366nm处能发光。热重曲线显示他们在流动空气的介质中在550℃以下具有很好的抗氧化性。

用新型核技术——沟道离子束合成法研制稀土硅化物

新型核技术－沟道离子束合法，在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用，沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点，背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试结果表明，生成的稀土硅化物具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。

碳热还原氟碳铈矿生产稀土硅化物合金工业化技术与产品通过鉴定

东北大学、辽宁火炬有限公司、营口华龙稀土合金有限公司承担的原国家科委、国家计委、辽宁省科委、辽宁省计委下达的国家火炬计划,稀土重点技改项目,科技成果转化项目碳热还原氟碳铈矿生产稀土硅化物合金工业化技术与产品于1998年8月18日在沈阳通过鉴定。 该项研究是采用东北大学的国家发明专利技术(专利号ZL92109998.3)。

稀土硅化物的制备及红外吸收光谱

报导了由射频溅射制备稀土（Ｙ）硅化物薄膜．样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ－１有一个弱吸收峰．样品进行高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强．我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收。

稀土金属硅化物的场发射

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.

高磷稀土精矿的碳热还原过程研究

采用63kVA直流矿热炉,对高磷稀土精矿直接进行碳热还原,制备高品位稀土硅化物合金。冶炼过程中生成的废渣很少,炉底不上涨,炉内碳热还原反应进行得较为彻底,稀土几乎全部进入产品合金当中。同时,对稀土精矿中的主要有害杂质磷在冶炼过程中及在矿热炉内的行为进行了深入的研究,提出了最大限度减少磷进入产品合金的策略。实验得到的稀土硅化物合金具有独特的组织结构,与众不同的抗水化性,其粉化特性也与传统观点有较大的差异。

Si(001)表面稀土金属硅化物纳米结构

稀土金属元素的硅化物在n型硅衬底上具有高电导率和低肖特基势垒的特点,在大规模集成的微电子器件领域具有很好的应用价值.文章系统介绍了在Si(001)表面自组装生长的稀土金属硅化物纳米结构的研究进展,较全面地讨论了退火温度、退火时间以及稀土金属表面覆盖度等生长条件对纳米结构生长的影响作用,并在此基础上分析了纳米线、纳米岛的晶化结构,衬底对纳米结构生长的影响,以及纳米结构的演化过程.搞清楚这些内在的生长机理,有助于人们今后实现可严格控制稀土金属硅化物纳米结构的形貌尺寸和分布的自组装生长.此外,文章还介绍了目前人们对稀土金属硅化物纳米线电学性质的研究进展.

Gd/Si薄膜

稀土硅化物具有特殊的结构特征和电导率,因而可用作红外探测器的传感元件。稀土硅化物能使n-型硅的肖特基势垒最低（～0.4eV）,而使p-型硅形成肖特基接触。稀土硅化物形成反应中硅是控制扩散过程的组元,但反应机理尚未搞清楚。 匈牙利技术物理与材料科学研究所G.L.Molnar最近研究揭示了硅化钆形成的机理。钆薄膜与硅单晶基片之间的固相反应包括两种砷化物相(六方结构的GdSi1.7