相转移法合成稀土La掺杂锰酸锂电极材料的性能

采用相转移法合成了稀土La掺杂的锰酸锂材料粉体。利用XRD、SEM等对粉体进行结构形态表征，并以其为锂离子电池正极活性材料测试其充放电性能。结果表明：按n（Li）：n（La）：n（Mn）=1．1：0．01：1．99的摩尔配比制备的前驱体，在750℃焙烧12h合成的样品材料结构稳定且呈较好的尖晶石相，以0．1C在4．5～3．0V范围内充放电，首次放电比容量达127．5mAh／g，放电平台时间较长，工作电压平稳于4．1V．

La掺杂对CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴法在玻璃衬底上制备了纯CdS薄膜和稀土La掺杂的CdS薄膜,在氮气气氛中对薄膜进行热处理。结果表明,未掺杂样品为立方闪锌矿CdS,La掺杂后衍射强峰仍为立方闪锌矿(111)晶向,但出现了微弱的六方纤锌矿结构,而且增强了短波光和近红外光的透过率,禁带宽度明显减小,同时La的掺入促进S元素百分含量的增加,使Cd/S更接近化学计量比。

稀土La(Ⅲ)掺杂非晶态氢氧化镍的电化学性能

采用微乳液快速冷冻沉淀法制备出稀土La(Ⅲ)掺杂非晶态Ni(OH)2粉体材料,对样品粉体的微结构及形态进行了表征分析,同时将样品作为活性物质合成电极材料,组装成碱性MH-Ni模拟电池,测试其电化学性能。结果表明,掺杂6%La(Ⅲ)样品材料微结构无序性强,质子缺陷较多。将所制备的样品在80 mA/g恒电流充电5.5 h,40 mA/g恒电流放电,终止电压为1.0 V的充放电制度下,其放电平台达到1.256 V,放电比容量为317.1 mAh/g,充放电循环30次放电比容量衰减仅为3.943%,具有较好的电化学稳定性和循环可逆性。

SnO2粒度对AgSnO2触头材料性能的影响

采用粉末冶金法制备了6种SnO2粒度的无掺杂AgSnO2和AgSnO2/La2O3两种触头材料,研究了SnO2粒度对两种AgSnO2触头材料物理性能和电接触性能的影响。结果表明,当SnO2粒度分别为1 000 nm和500 nm时,无掺杂AgSnO2和AgSnO2/La2O3两种触头材料的硬度适中,导电率较大,接触电阻和燃弧能量均较小且较稳定。通过选择合适的SnO2粒度,可改善AgSnO2触头材料的性能。

La^(3+)掺杂CdS纳米带的发光特性

为了研究CdS纳米带掺杂La^(3+)的发光特性,采用热蒸发CdS粉末和La_2(C_2O_4)3·9H_2O粉末方法制备高质量的CdS:La^(3+)纳米带。使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜观察纳米带的形貌,对其晶体结构进行表征,纳米带的外形呈现出形状漂亮规则平整且表面光滑,纳米带的边缘也完整,没有锯齿状现象;纳米带的厚度为几十纳米,且厚度均匀一致;但其宽度略有变化,尺寸保持在五到十五微米之间;纳米带具有六方结构。PL谱表明,CdS:La^(3+)纳米带的发光谱中四个分别位于397、467、517和595 nm处的发光峰,前两个的发光峰是属于激子发光,后两个发光峰是属于表面缺陷发光。