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稀磁性半导体研究进展
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作者 王永强 张爱芸 《河南理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第4期451-456,共6页
由磁性离子部分地代替非磁性阳离子所形成的稀磁性半导体,因其具有很多独特的性质而受到人们的广泛关注.本文主要介绍了稀磁性半导体的研究背景、研究过程、现状及其发展前景,并以Y.Matsumoto等所做的研究为例,介绍了此类材料的制备、... 由磁性离子部分地代替非磁性阳离子所形成的稀磁性半导体,因其具有很多独特的性质而受到人们的广泛关注.本文主要介绍了稀磁性半导体的研究背景、研究过程、现状及其发展前景,并以Y.Matsumoto等所做的研究为例,介绍了此类材料的制备、研究方法以及技术中存在的缺陷. 展开更多
关键词 稀磁性半导体 自旋 掺杂 磁性
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Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展
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作者 任平 张俊喜 徐群杰 《上海电力学院学报》 CAS 2007年第1期53-56,共4页
综述了目前国内外以As-基与Sb-基为基础的Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料的研究现状,系统地介绍了其生长方法与物理特性的研究进展,并指出其发展趋势与应用前景.
关键词 稀磁性半导体材料 InMnAs InMnSb
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胶体法制备Mn^(2+)掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半导体纳米晶体材料的研究进展 被引量:2
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作者 李瑞 钟海政 +2 位作者 张泽朋 杨春和 李永舫 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期564-570,共7页
近年来兴起的稀磁性半导体纳米晶体(DMSNC)是一种新型的半导体材料,由于其优异的光电磁性能得到了国内外研究人员的重视,并取得了快速发展,有望在多个领域得到应用。本文对以胶体法制备的Mn2+掺杂的ZnS、ZnSe、CdS、CdSe等为代表的Ⅱ-Ⅵ... 近年来兴起的稀磁性半导体纳米晶体(DMSNC)是一种新型的半导体材料,由于其优异的光电磁性能得到了国内外研究人员的重视,并取得了快速发展,有望在多个领域得到应用。本文对以胶体法制备的Mn2+掺杂的ZnS、ZnSe、CdS、CdSe等为代表的Ⅱ-Ⅵ族DMSNC的主要研究进展和掺杂原理进行了综述,指出了现阶段所存在的问题,并对其未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 稀磁性半导体纳米晶体 Ⅱ-Ⅵ族纳米晶体 锰掺杂 胶体法
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Fe掺杂的GaN稀磁半导体磁性分析
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作者 郭俊梅 刘科敏 +1 位作者 王锦仁 孙琳 《集成电路应用》 2023年第5期34-35,共2页
阐述在稀磁半导体材料中,Fe离子浓度越高,稀磁半导体的晶体质量以及晶格取向所受到的影响就越严重。探讨Fe掺杂浓度的稀磁半导体材料,在任何温度下都能够展现出比较强的铁磁性。
关键词 半导体材料 FE掺杂 GAN 半导体磁性
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不同退火温度下Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜的磁性研究
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作者 刘永刚 杨东洋 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2011年第1期91-92,112,共3页
通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩... 通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件,其磁性来源机制符合J.M.D.Coey的BMP模型。 展开更多
关键词 Zno.96Coo.040半导体薄膜高温退火磁性
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Co掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算 被引量:7
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作者 林龙 祝令豪 +6 位作者 李先宏 张志华 何明 陶华龙 徐永豪 张战营 曹建亮 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2114-2119,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的3d态和C的2p态占据,而Si的2p轨道作用较小。通过计算10种可... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的3d态和C的2p态占据,而Si的2p轨道作用较小。通过计算10种可能的掺杂位置,确定了铁磁性最稳定的组态。由于Co_0:3d-C:2p-Co_6:3d链之间存在一定的耦合关系,Co与C原子间强烈的d-p轨道杂化使得Co掺杂4H-SiC处于较稳定的铁磁基态。Co的引入使得基体空穴增加,缺陷调节下空穴载流子的远程交换(RKKY)机制导致了铁磁性的出现。 展开更多
关键词 稀磁性半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SIC
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溶胶-凝胶法制备Co掺杂ZnO薄膜及其室温铁磁性(英文) 被引量:2
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作者 徐光亮 赵德友 +3 位作者 张磊 魏贤华 刘桂香 彭龙 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1582-1585,共4页
以聚乙烯醇为溶剂,用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底表面制备了Zn1-xCoxO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜。研究表明:Zn1-xCoxO薄膜均为纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相,Co2+取代Zn2+位置进入ZnO的晶格,样品的光学带隙随Co含量的增... 以聚乙烯醇为溶剂,用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底表面制备了Zn1-xCoxO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜。研究表明:Zn1-xCoxO薄膜均为纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相,Co2+取代Zn2+位置进入ZnO的晶格,样品的光学带隙随Co含量的增加而减小。Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性,其饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)均随Co2+含量(x=0.08,0.10,0.12)的增加而逐渐增大,Ms分别为1.12×104,1.45×104A/m和1.66×104A/m,Hc分别约为2.31×105,3.30×105A/m和4.26×105A/m,并讨论了其铁磁性的来源。 展开更多
关键词 氧化锌 稀磁性半导体 室温铁磁性 溶胶-凝胶法
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溶胶-凝胶法制备Cu/ZnO的室温铁磁性 被引量:2
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作者 崔正南 许怀哲 +1 位作者 郝维昌 李建军 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期126-129,共4页
为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末。X射线衍射光谱显示Cu在ZnO中的固溶度小于0.08(摩尔比);透射电子显微镜分析显示颗粒尺寸较为均匀,呈单结晶态;振动样品磁强计测试表明,Cu/ZnO具有室温... 为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末。X射线衍射光谱显示Cu在ZnO中的固溶度小于0.08(摩尔比);透射电子显微镜分析显示颗粒尺寸较为均匀,呈单结晶态;振动样品磁强计测试表明,Cu/ZnO具有室温铁磁性。由于Cu本身不具有任何磁性,样品的铁磁性来源为氧化锌晶格中的缺陷与Cu2+离子之间的交换作用。 展开更多
关键词 稀磁性半导体 溶胶-凝胶法 Cu/ZnO 室温铁磁性
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New quantum matters:Build up versus high pressure tuning 被引量:11
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作者 JIN ChangQing WANG XianCheng +5 位作者 LIU QingQing ZHANG SiJia FENG ShaoMin DENG Zheng YU RiCheng ZHU JingLong 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第12期2337-2350,共14页
In this article we briefly review new quantum functional compounds primarily based on our recent works.We will highlight the effects of pressures on both materials synthesis and quantum tuning.The contents include(I)&... In this article we briefly review new quantum functional compounds primarily based on our recent works.We will highlight the effects of pressures on both materials synthesis and quantum tuning.The contents include(I)"111"-type iron based superconducting system,(II)pressure induced superconductivity in topological insulators and(III)the new diluted magnetic semiconductors with decoupled spin charge doping. 展开更多
关键词 量子 高压 稀磁性半导体 化合物 官能团 绝缘体 压力 拓扑
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Local electronic structure and magnetic properties of (Ga,Cr)N 被引量:3
10
作者 LIN He DUAN Haiming 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2006年第13期1546-1550,共5页
The local electronic structure and mag- netic properties of diluted magnetic semiconductor (Ga,Cr)N have been studied by using discrete varia- tional method (DVM) based on density functional theory. The magnetic momen... The local electronic structure and mag- netic properties of diluted magnetic semiconductor (Ga,Cr)N have been studied by using discrete varia- tional method (DVM) based on density functional theory. The magnetic moments per Cr atom vary significantly with Cr concentration, and the trend of variation is in agreement with that of the experiment. The coupling between Cr atoms in the system with two Cr atoms considered is found to be ferromagnetic, and the magnetic moment per Cr atom is similar to the case in which only one Cr atom is considered in the same doping concentration. For all doping con- centrations, the coupling between Cr and the nearest neighbor N is found to be antiferromagnetic, and the Cr 3d states hybridize strongly with N 2p states, which are in agreement with the band calculations. 展开更多
关键词 (Ga Cr)N 磁性 电子结构 稀磁性半导体 密度功能理论 群集模型
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ABNORMAL MAGNETIC BEHAVIOR IN DMS ZN_(1-X)MN_XO NANOWIRES 被引量:2
11
作者 ZHANG Xiaomei ZHANG Yue GU Yousong QI Junjie HUANG Yunhua LIU Juan 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2006年第4期490-492,共3页
Zn1xMnxO nanowires were synthesized through chemical vapor deposition of pure Zn and MnCl2 power mixtures on silicon substrates. The morphology, structure and composition were meas-ured by SEM, TEM, EDX and XRD. Magne... Zn1xMnxO nanowires were synthesized through chemical vapor deposition of pure Zn and MnCl2 power mixtures on silicon substrates. The morphology, structure and composition were meas-ured by SEM, TEM, EDX and XRD. Magnetic proper-ties were measured by SQUID. The results show that the nanowires exhibit clear ferromagnetic behavior at low temperature. An abnormal peak is observed in the M-T curve at 55 K in a magnetic field of 500 Oe. 展开更多
关键词 稀磁性半导体 异常磁性性能 锰掺杂 Zn1-xMnxO纳米线
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New diluted ferromagnetic semiconductor isostructural to “122” type iron pnictide superconductor with T_c up to 180 K
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《Science Foundation in China》 CAS 2013年第1期28-28,共1页
Diluted magnetic semiconductors(DMS)have received much attention due to the potential applications to spintronics devices.A prototypical DMS(Ga,Mn)As has been widely studied since the 1990s.The simultaneous spin and c... Diluted magnetic semiconductors(DMS)have received much attention due to the potential applications to spintronics devices.A prototypical DMS(Ga,Mn)As has been widely studied since the 1990s.The simultaneous spin and charge doping via hetero-valence(Ga^(3+),Mn^(2+))substitution,however,not only leads to incapability of controlling magnetic&carriers freedom separately,but also results in severely limited solubility without bulk specimens.Recently the group led by Prof.Jin Changqing at Institute of Physics of Chinese Academy of Sciences(IOPCAS),in 展开更多
关键词 稀磁性半导体 导体 自旋电子学器件 结构 半导体 DMS
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