聚合物注入井高压稀释水流量调节技术

聚合物注入井高压稀释水流量调节控制是注入站自控系统主要任务之一。聚合物注入井高压稀释水流量调节系统主要由流量仪表、阀门、PLC控制器、上位机构成。系统采用最小二乘法拟合阀门开度与清水流量的关系,以掌握阀门特性。采用PLC控制可利用现场原有的控制系统,只需在PLC中增加几个模拟量输入、输出模块即可,成本较低,现场阀位数据可通过PLC上传至上位机,操作人员只需在电脑旁就可观测现场所有设备运行情况,既可在现场手动调节阀门也可通过电脑操作调节阀门,降低投资成本的同时增加了系统的集成度。

Ar气流量对石墨表面CVD TaC涂层生长与表面形貌的影响

用C3H6作为碳源气,Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽源,采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)在高纯石墨表面制备TaC涂层。采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等对涂层进行表征,研究1 000℃下稀释气体(Ar)流量对TaC涂层成分、织构及表面形貌的影响。结果表明:随着稀释气体流量增大,表面均匀性和光滑度提高,晶粒尺寸减小,晶体择优取向降低,沉积速率减小,涂层中C含量增多。当稀释气体流量为100 mL/min时,TaC涂层晶粒尺寸与沉积速率分别为32.5 nm和0.60μm/h;而当稀释气体流量增大到600 mL/min时,涂层晶粒尺寸与沉积速率分别下降到21 nm和0.25μm/h。

动态稀释校准仪对VOCs自动监测系统的影响

基于环境空气VOCs自动监测系统中动态稀释校准仪在相同稀释比和不同稀释流量条件下,对仪器测试结果误差的影响进行研究,指出了当前环境空气VOCs自动监测普遍使用的校准仪的不足之处。选取臭氧前体物(PAMS)57种有机化合物,以不同稀释总流量,分别测试0.5和1.0 nmol/mol的平均检出限以及平均回测偏差,结果显示,在输出流量>1 000 mL/min时,平均检出限分别在0.02~0.17和0.01~0.10 nmol/mol;平均回测偏差在-12%~26%和-28%~10%。当总输出流量>1 000 mL/min时,多点曲线各浓度点重复性<5%。

关于维系河流健康最小流量的探讨

通过分析河流健康最小流量的内涵以及河道内、外用水和各类用水之间的关系,提出了确定河流最小健康流量的基本思路、计算模型以及具体方法,并进行了实例分析,为水资源可持续利用的管理目标提供了现实途径。

社区大气污染物排放总量控制研究

为了寻求社区大气污染物排放总量控制的方法和可行途径，在污染源调查的基础上，以城市多源大气扩散模式（ＩＳＣＳＴ）为建模工具，采用以“总量控制线性方程组”作为约束条件的线性规划方法，对控制北京市西城区大气污染物排放总量达到环境目标的几种方案作了分析，如燃烧优质煤和天然气等．同时。

发电厂脱硝系统设计优化

分析了发电厂烟气脱硝系统的设计原理、设计要求、技术关键及催化特性,指出了脱硝系统存在的问题。对脱硝系统进行了优化改造,确保脱硝系统运行状况良好,节能效果显著。

基于原位稀释技术的口罩颗粒物过滤效率测试仪校准研究

提出以一种原位气溶胶稀释器作为标准器,用于口罩颗粒物过滤效率测试仪的校准方法。该方法可以弥补传统校准方法(标准光度计法和标准滤膜法)在可操作性和溯源性方面的不足。原位气溶胶稀释器以多根限流毛细管组合和气溶胶原位稀释为特点,是一种结构型式满足在口罩夹具位置接入使用的限流式气溶胶稀释器。在工况流量已知的情况下,经过标定的稀释器,可根据校准过程中采集到的上下游差压,计算得到稀释器的稀释比。为证明该流量法稀释比可以直接转化为稀释器所提供的过滤效率参考值使用,文中针对稀释比校准方法进行了讨论。将校准过程类比于对气溶胶颗粒的同轴非等速采样,进行了斯托克斯数的推导计算,说明了所使用限流毛细管的吸入效率接近1。计算得到伴有扩散损失的毛细管内的输送效率大于0.99。使用原位气溶胶稀释器针对典型测量对象开展校准实验,并进行了参考值的不确定度分析。上述内容共同验证了稀释法校准的可行性和有效性。

C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺

以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主;随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好。

乙烯装置气相裂解炉炉管异常运行分析

乙烯装置裂解炉清焦周期是衡量裂解炉运行的重要参数,清焦周期的长短直接关系到乙烯装置综合能耗的高低。通过对裂解炉气相通道运行状况的分析,找出了导致裂解炉气相通道出现异常的原因,并提出解决方案。

流态化气相沉积过程中稀释气体流量对颗粒表面SiO_(2)沉积的影响

利用Fe(Si)合金球形粉末为沉积基底,正硅酸乙酯为SiO_(2)气相介质前驱体,采用引入流化环节的化学气相沉积工艺合成了Fe(Si)/SiO_(2)复合粉末。考察了沉积过程中Ar稀释气体流量对Fe(Si)基底粉末表面SiO_(2)绝缘介质沉积过程的影响规律及形成完整核壳异质结构的稀释气体流量范围。实验结果表明,随着流态化气相沉积过程中Ar稀释气体流量的逐渐增大,SiO_(2)绝缘介质在Fe(Si)粉末基底表面的微观形貌从亚微米级团簇转变为完整薄膜再向多孔薄膜转变,沉积速率先减小后增大再降低,在250 sccm时SiO_(2)绝缘介质均匀性最好,沉积速率为0.069 nm/s。此外,形成完整Fe(Si)/SiO_(2)核壳异质结构的Ar稀释气体流量范围为200~300 sccm。

品种变换过程中稀释水系统调节探讨

当前,一台纸机需要生产多个品种,以满足市场需求。在品种变换过程中,稀释水定量控制系统需要重新进行调节,这个调节过程的长短是影响企业成本的重要因素。本文对不同情况下流浆箱横幅各点需要添加的稀释水量进行了推导,结果表明:只要根据支管的流量变化,按一定比例进行调节各点稀释水量,即可在很短的时间内达到理想的调节结果。