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溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜 被引量:14
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作者 修向前 张荣 +4 位作者 徐晓峰 俞慧强 陈丽星 施毅 郑有炓 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第3期64-66,共3页
用溶胶凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO∶Fe薄膜。ZnO∶Fe薄膜具有尖锐的带边发光 ,禁带宽度约为 3 3eV ,半高宽 13nm。磁性测量表明 ,ZnO∶Fe薄膜在室温下具有铁磁性 ,饱和磁化强度约为 10 - 3emu量级 ,矫顽力为 30奥斯特(... 用溶胶凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO∶Fe薄膜。ZnO∶Fe薄膜具有尖锐的带边发光 ,禁带宽度约为 3 3eV ,半高宽 13nm。磁性测量表明 ,ZnO∶Fe薄膜在室温下具有铁磁性 ,饱和磁化强度约为 10 - 3emu量级 ,矫顽力为 30奥斯特(Oe)。 展开更多
关键词 ZNO 稀释磁性半导体薄膜 溶胶-凝胶法 氧化锌 制备方法
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稀释磁性半导体Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体的合成和XANES测试
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作者 嵇天浩 徐惠斌 +4 位作者 郭林 齐兴义 邓元 杨青林 Charles O'Connor 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期643-644,共2页
采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征.测试结果表明,纳米晶体尺寸分布较均匀,而且掺杂在PbSe中的Mn离子仍是+2价的,同时也证实了Mn离子的掺杂... 采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征.测试结果表明,纳米晶体尺寸分布较均匀,而且掺杂在PbSe中的Mn离子仍是+2价的,同时也证实了Mn离子的掺杂导致了DMSNCs的晶格发生了少许的改变. 展开更多
关键词 稀释磁性半导体 纳米晶体 XANES
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稀释磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO纳米晶的合成 被引量:1
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作者 尤逢永 毕红 周小丽 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第6期75-79,共5页
采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO(z=0.01~0.42)纳米晶,X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分锌离子的占位,用振动样品磁强计研究了Zn1-xCoxO系列样品的磁性能,发现当x≤0.12时,样品... 采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO(z=0.01~0.42)纳米晶,X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分锌离子的占位,用振动样品磁强计研究了Zn1-xCoxO系列样品的磁性能,发现当x≤0.12时,样品呈现明显的室温铁磁性.此外,研究了合成过程中反应液的pH值、钴的掺入量和产生的沉淀等因素对Zn1-xCoxO磁性能的影响,并初步探讨了反应机理. 展开更多
关键词 稀释磁性半导体 钴掺杂氧化锌 化学共沉淀法
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二氧化锡基稀释磁性半导体的磁性
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作者 顾海权 刘春明 +1 位作者 李志杰 祖小涛 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2012年第1期218-222,共5页
综述了SnO2基稀释磁性半导体(SnO2-DMS)磁性的实验研究进展,包括3d过渡金属离子掺杂和非磁性离子掺杂;归纳了SnO2-DMS的磁性与掺杂离子浓度、基底材料、样品形态的关系,并指出本征缺陷对磁性的贡献毋庸置疑,而掺杂离子的作用还存在争议... 综述了SnO2基稀释磁性半导体(SnO2-DMS)磁性的实验研究进展,包括3d过渡金属离子掺杂和非磁性离子掺杂;归纳了SnO2-DMS的磁性与掺杂离子浓度、基底材料、样品形态的关系,并指出本征缺陷对磁性的贡献毋庸置疑,而掺杂离子的作用还存在争议;简单介绍了F心交换模型。 展开更多
关键词 二氧化锡 稀释磁性半导体 F心交换模型
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稀释磁性半导体Sn_(1-x)Mn_xO_2的室温铁磁性 被引量:11
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作者 匡安龙 刘兴翀 +4 位作者 路忠林 任尚坤 刘存业 张凤鸣 都有为 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2934-2937,共4页
采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁... 采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究. 展开更多
关键词 稀释磁性半导体 掺杂方法 磁性 烧结温度
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Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究 被引量:1
6
作者 常永勤 安卫军 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-194,197,共3页
采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌... 采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律 ,并进行了相成分分析。研究发现 ,淬火得到的Mn0 .2 2 Cd0 .78In2 Te4晶体中存在两个界面 ,其中一个为固液相变界面 ,另一个为由α + β两相区发展到单相 β区时的转变界面 ,二者相对于生长初始端均为凹形 ;α+ β两相区中 ,β相以条状、花状和近似圆片状形式存在 ,其中条状 β相多分布在晶界处 ;越接近生长初始端 ,花状和近似圆片状β相越小 ,条状 β相越细 ,它们的含量越少 ;X射线衍射图谱表明 ,β相为黄铜矿结构 ,α相为面心立方结构。 展开更多
关键词 晶体生长 相变界面 Β相 X射线衍射图谱 稀释磁性半导体
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垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析 被引量:1
7
作者 栾丽君 介万奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期57-61,共5页
Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选... Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图。计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:a=0.31nm,b=0.79nm,c=0.47nm,β=92.71°。确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0■1)Te//(■02)CMT,[100]Te//[111]CMT。最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析。 展开更多
关键词 垂直布里奇曼(VB)法 稀释磁性半导体 Cd0.8Mn0.2Te Te沉淀
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Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长及其性能研究
8
作者 常永勤 安卫军 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期360-363,共4页
采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始... 采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比 ,结果出现三种相 :α相、β相和 β1相 ,其中α相和 β相是在晶体生长过程中形成的 ,随温度降低 ,从α相中又析出β1相。当晶体生长到稳定段 ,完全形成 β相。Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体从生长初始端到接近稳态区 ,β1相由规则排列的片状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为 1.2eV的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 在 10 0 0 0~ 4 0 0 0cm- 1的近红外波数范围内 ,其透过率最高达 83% ,在 4 0 0 0~5 0 0cm- 1的中红外波数范围内透过率为 5 9%~ 6 5 %。 展开更多
关键词 MnxCd1-xIn2Te4 Β相 β1相 红外透射光谱 Α相 稀释磁性半导体
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纳米Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的制备和结构研究
9
作者 张林 张连生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期357-358,361,共3页
采用双源热蒸发方法制备了纳米 Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据 X 射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征。结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过 Raman 散射光谱观察到明显的... 采用双源热蒸发方法制备了纳米 Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据 X 射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征。结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过 Raman 散射光谱观察到明显的声子限域效应,与 ZnSe体材料相比,Zn1-xFexSe薄膜同光学声子模对应的 Raman 散射峰表现出宽化和红移;纳米晶粒的晶格膨胀导致 Raman散射峰红移随Fe含量增多而相应加大。 展开更多
关键词 纳米晶薄膜 稀释磁性半导体 晶体结构
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稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术
10
作者 马国立 郭喜平 介万奇 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第3期31-34,共4页
CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统... CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。本文采用ACRT—B技术来进行晶体生长,使混料和长晶一次完成。 展开更多
关键词 ACRT-B 半导体 稀释磁性半导体 镉锰碲 单晶
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Mg and Ni Incorporated ZnO Diluted Magnetic Semiconductor for Magnetic and Photo-Catalytic Applications
11
作者 Tahir Iqbal M.Irfan +4 位作者 Shahid M.Ramay Abdullah Alhamidi Hamid Shaikh Murtaza Saleem Saadat A.Siddiqi 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第6期743-748,I0003,共7页
Zinc oxide is recently being used as a magnetic semiconductor with the introduction of mag-netic elements.In this work,we report phase pure synthesis of Mg and Ni co-substituted ZnO to explore its structure,optical,ma... Zinc oxide is recently being used as a magnetic semiconductor with the introduction of mag-netic elements.In this work,we report phase pure synthesis of Mg and Ni co-substituted ZnO to explore its structure,optical,magnetic and photo-catalytic properties.X-ray di raction analysis reveals the hexagonal wurtzite type structure having P63mc space group without any impurity phase.UV-Vis spectrophotometry demonstrates the variation in bandgap with the addition of Mg and Ni content in ZnO matrix.Magnetic measurements exhibit a clear boosted magnetization in Ni and Mg co-doped compositions with its stable value of bandgap corroborating the structural stability and magnetic tuning for its advanced applications in modern-day spintronic devices.Photo-catalytic measurements performed using methyl green degradation demonstrate an enhanced trend of activity in Mg and Ni co-doped compositions. 展开更多
关键词 Dilute magnetic semiconductors X-ray di raction UV-Vis spectrophotometry Magnetic properties PHOTO-CATALYSIS
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Zn0.93Co0.07O纳米薄膜材料的磁性机制研究 被引量:2
12
作者 叶小娟 侯登录 +2 位作者 钟伟 区泽棠 都有为 《中国科学(G辑)》 CSCD 2008年第11期1511-1517,共7页
采用磁控溅射方法制备了氮掺杂的Zn0.93Co0.07O系列和Al掺杂的Zn0.93Co0.07O薄膜样品,系统研究了样品的结构、形貌及磁学性能,讨论了样品中铁磁性的产生机制.实验结果表明:所制备的薄膜样品均为单一的纤锌矿结构,没有检测到其他物相.薄... 采用磁控溅射方法制备了氮掺杂的Zn0.93Co0.07O系列和Al掺杂的Zn0.93Co0.07O薄膜样品,系统研究了样品的结构、形貌及磁学性能,讨论了样品中铁磁性的产生机制.实验结果表明:所制备的薄膜样品均为单一的纤锌矿结构,没有检测到其他物相.薄膜的表面生长均匀,并观测到清晰的磁畴结构.磁性测量结果表明所有的样品均呈现室温铁磁性,样品的饱和磁化强度随着Al含量的增加而增加,随着氮含量的增加而降低.我们认为在Co掺杂的ZnO稀磁半导体中,铁磁性相互作用是通过电子作为载流子来传递的. 展开更多
关键词 ZnO基稀释磁性半导体 薄膜 磁性
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Cu对Fe:In_2O_3稀磁半导体结构和磁性能的影响
13
作者 李咪 孙志刚 +4 位作者 蔡勇 高洪 陈炎兵 段伟 顾尔丹 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第19期34-36,共3页
采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体(In0.9-xFe0.1Cux)2O3(x=0-0.03)。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明:样品在0≤X≤0.01时,均为单相结构且晶格常数随Cu的含量.27的增大而减小;而z〉0.01后,... 采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体(In0.9-xFe0.1Cux)2O3(x=0-0.03)。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明:样品在0≤X≤0.01时,均为单相结构且晶格常数随Cu的含量.27的增大而减小;而z〉0.01后,出现杂质相且晶格常数随Cu的含量z的增大而增大。在无Cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性,而Cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性,研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。 展开更多
关键词 IN2O3 稀释磁性半导体 高温固相反应法 室温铁磁性 载流子浓度
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Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的光吸收特性 被引量:1
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作者 张汝贞 刘宜华 +1 位作者 张连生 梅良模 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第9期796-799,共4页
稀释磁性半导体(DMS),或半磁半导体(SMSC)是一类新型的半导体材料。它是以Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物为基体,以磁性离子随机地部分取代其中的非磁性阳离子而形成的三元或四元化合物。
关键词 稀释磁性 半导体 光吸收 薄膜
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Research progress in ZnO single-crystal:growth, scientific understanding, and device applications 被引量:11
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作者 Feng Huang Zhang Lin +9 位作者 Wenwen Lin Jiye Zhang Kai Ding Yonghao Wang Qinghong Zheng Zhibing Zhan Fengbo Yan Dagui Chen Peiwen Lv Xian Wang 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2014年第12期1235-1250,共16页
Zinc oxide,a wide band-gap semiconductor,has shown extensive potential applications in high-efficiency semiconductor photoelectronic devices,semiconductor photocatalysis,and diluted magnetic semiconductors.Due to the ... Zinc oxide,a wide band-gap semiconductor,has shown extensive potential applications in high-efficiency semiconductor photoelectronic devices,semiconductor photocatalysis,and diluted magnetic semiconductors.Due to the undisputed lattice integrity,ZnO single crystals are essential for the fabrication of high-quality ZnO-based photoelectronic devices,and also believed to be ideal research subjects for understanding the underlying mechanisms of semiconductor photocatalysis and diluted magnetic semiconductors.This review,which is organized in two main parts,introduces the recent progress in growth,basic characterization,and device development of ZnO single crystals,and some related works in our group.The first part begins from the growth of ZnO single crystal,and summarizes the fundamental and applied investigations based on ZnO single crystals.These works are composed of the fabrication of homoepitaxial ZnO-based photoelectronic devices,the research on the photocatalysis mechanism,and dilute magnetic mechanism.The second part describes the fabrication of highly thermostable n-type ZnO with high mobility and high electron concentration through intentional doping.More importantly,in this part,a conceptual approach for fabricating highly thermostable p-type ZnO materials with high mobility through an integrated three-step treatment is proposed on the basis of the preliminary research. 展开更多
关键词 器件应用 氧化锌 科学认识 半导体光电器件 ZNO单晶 半导体光催化 稀释磁性半导体 宽带隙半导体
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团簇中杂质局域磁矩的形成研究
16
作者 孙强 龚新高 +1 位作者 郑庆祺 王广厚 《中国科学(A辑)》 CSCD 1996年第11期1032-1037,共6页
采用密度泛函理论和离散变分方法,以I_h结构的Cu_(12)TM团簇为对象(TM:Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag),系统地研究了杂质TM的局域磁矩及其形成机理,发现杂质TM在Cl_(12)中的局域磁性行为与在块体Cu中及在Al_(12).... 采用密度泛函理论和离散变分方法,以I_h结构的Cu_(12)TM团簇为对象(TM:Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag),系统地研究了杂质TM的局域磁矩及其形成机理,发现杂质TM在Cl_(12)中的局域磁性行为与在块体Cu中及在Al_(12).团簇中的行为明显不同.除Cr和Mo的磁矩被淬灭为零外,其他的杂质都是磁性的.与杂质在块体d带衬底中的d-d相互作用图象相比,发现在团簇中存在着更为复杂的相互作用,它们影响着杂质的局域磁矩.其中Cu原子的s轨道与杂质原子之间的相互作用对3d和4d杂质的磁矩有重要贡献;Cu原子的p轨道与杂质原子的相互作用对Mn,Fe,Co,Ni,Tc,Ru,Rh的磁矩有关键性影响;Cu原子的d轨道与杂质之间的相互作用对Sc,Ti,V,Y,Zr,Nb的磁矩有关键性影响. 展开更多
关键词 团簇 杂质 磁性 磁矩 磁性稀释合金
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《化学通报》网络版(Chemistry Online)2006年第7期论文摘要
17
《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期639-640,共2页
关键词 过渡金属有机配合物 《化学通报》 Chemistry Online)2006 稀释磁性半导体 表面活性剂 水泥外加剂 网络版 导电剂 锂离子电池 锂离子二次电池 锂电池 论文摘要 聚合物涂膜 精氨酸
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Diluted ferromagnetic semiconductor(LaCa)(ZnMn)SbO isostructural to “1111” type iron pnictide superconductors 被引量:9
18
作者 HAN Wei ZHAO Kan +8 位作者 WANG XianCheng LIU QingQing NING FanLong DENG Zheng LIU Ying ZHU JinLong DING Cui MAN HuiYuan JIN ChangQing 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第11期2026-2030,共5页
We report discovery of ferromagnetism in(LaCa)(ZnMn)SbO isostructural to the well-studied iron-based superconductor LaFeAs(O1 xFx).Spin is induced by partial substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is induced by sub... We report discovery of ferromagnetism in(LaCa)(ZnMn)SbO isostructural to the well-studied iron-based superconductor LaFeAs(O1 xFx).Spin is induced by partial substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is induced by substitution of Ca2+for La3+within the parent compound LaZnSbO.Ferromagnetism with Curie temperature(TC)is observed up to 40 K at the spin doping 0.15 by introducing Mn2+into the Zn2+sites for(La0.95Ca0.05)(Zn1 xMnx)SbO.The Hall coefficient measurement indicates p-type carrier for(La0.95Ca0.05)(Zn0.9Mn0.1)SbO with concentration of n^1020cm 3showing anomalous Hall effect below TC. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTOR "1111" type structure diluted magnetism
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