基于发光二极管的稳谱技术研究

针对NaI(Tl)闪烁γ射线谱仪易受环境温度影响,造成能谱漂移,稳定性差,继而导致能谱解析困难的问题,本文自主搭建了发光二极管(LED)稳谱系统,并在此基础上初步探讨了基于LED的快速稳谱方法。研究表明:基于LED的稳谱方法具有安全可靠、参考峰干净,并且可拓宽NaI(Tl)闪烁γ射线谱仪应用场合等优势;通过对LED进行恒流脉冲驱动,可得到稳定的LED光脉冲;得到了-25℃^+55℃温度范围几种常用放射源能峰及LED峰位随温度变化曲线;发现温度变化导致放射源峰位漂移,部分温度下漂移量超过10%,经过稳谱后,峰位漂移量降低到±5%以内,实现了温度在较大范围内变化时对γ射线谱仪进行有效稳谱。