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改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索
1
作者
李亚丽
杨瑞霞
杨克武
《电子器件》
CAS
2005年第1期135-137,共3页
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定...
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降。
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关键词
硫钝化GaAs
MESFETS
稳定性pecvd
SINX
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职称材料
题名
改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索
1
作者
李亚丽
杨瑞霞
杨克武
机构
河北工业大学信息工程学院
电子部第
出处
《电子器件》
CAS
2005年第1期135-137,共3页
基金
军事预研基金资助项目(51432020103QT4501)
河北省自然科学基金资助项目(F2004000078)。
文摘
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降。
关键词
硫钝化GaAs
MESFETS
稳定性pecvd
SINX
Keywords
sulfur passivation
GaAs MESFETs
stability
pecvd
Silicon Nitride
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索
李亚丽
杨瑞霞
杨克武
《电子器件》
CAS
2005
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