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过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜工艺研究
1
作者
朱纪军
左敦稳
《航空精密制造技术》
1998年第6期24-27,共4页
研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数。并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响。采用喇曼光谱研究了偏压对生成的类金刚石薄膜性能的影响,证明-100V偏压下获得的类金刚石薄膜有...
研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数。并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响。采用喇曼光谱研究了偏压对生成的类金刚石薄膜性能的影响,证明-100V偏压下获得的类金刚石薄膜有最佳的SP3含量。扫描电镜测试表明,在(111)硅基片上获得致密的膜,但在高速钢基体上沉膜堆积现象比较严重,不易获得优质类金刚石膜。同时也给出了类金刚石的原子力显微照片(AFM),表明稳弧参数对类金刚石薄膜表面形貌有较大的影响。
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关键词
阴极电
弧
类金刚石薄膜
稳弧参数
挡板
偏压
原文传递
题名
过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜工艺研究
1
作者
朱纪军
左敦稳
机构
南京航空航天大学机电工程学院
出处
《航空精密制造技术》
1998年第6期24-27,共4页
文摘
研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数。并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响。采用喇曼光谱研究了偏压对生成的类金刚石薄膜性能的影响,证明-100V偏压下获得的类金刚石薄膜有最佳的SP3含量。扫描电镜测试表明,在(111)硅基片上获得致密的膜,但在高速钢基体上沉膜堆积现象比较严重,不易获得优质类金刚石膜。同时也给出了类金刚石的原子力显微照片(AFM),表明稳弧参数对类金刚石薄膜表面形貌有较大的影响。
关键词
阴极电
弧
类金刚石薄膜
稳弧参数
挡板
偏压
Keywords
cathode arc DLC films arc stabilized parameter baffler bias voltage
分类号
TN304.180.55 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜工艺研究
朱纪军
左敦稳
《航空精密制造技术》
1998
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