O484.5 2003042956钒氧酞菁薄膜瞬态光电压性能的研究=Synthesis ofvanadyl phthalocyanine and study of structures and photovoltaicproperties of its film[刊,中]/张青(上海交通大学化学化工学院.上海(200030)),黄德音…∥感光科...O484.5 2003042956钒氧酞菁薄膜瞬态光电压性能的研究=Synthesis ofvanadyl phthalocyanine and study of structures and photovoltaicproperties of its film[刊,中]/张青(上海交通大学化学化工学院.上海(200030)),黄德音…∥感光科学与光化学.-2002,20(2).-96-99分别用1064 nm,532 nm和355 nm激发波长的YAG脉冲激光对所制备的phase-Ⅱ结构钒氧酞菁膜Al\phase-ⅡVOPc\ITO夹心电池进行瞬态光电压响应研究。随着3种波长激发光脉冲强度的增加,瞬态光电压信号均增强。激发光波长1064 nm、532 nm处于酞菁膜Q-带吸收区肩部,光电压的极性与激发光入射方向无关,均为负信号;而激发光波长355 nm处于酞菁膜B-带,光电压的极性与激发光入射方向有关,从ITO极方向激发产生正电压信号,从Al极激发产生负电压信号。展开更多
O484.4 99042603可用于光存储和光学信息处理的SrS(Eu,Sm)电子俘获薄膜的研究=Study of SrS(Eu,Sm)electron—trappingthin film used in optical storage andinformation processing[刊,中]/阮昊,陈述春,方祖捷,曹根娣,陈高庭,戴凤妹,...O484.4 99042603可用于光存储和光学信息处理的SrS(Eu,Sm)电子俘获薄膜的研究=Study of SrS(Eu,Sm)electron—trappingthin film used in optical storage andinformation processing[刊,中]/阮昊,陈述春,方祖捷,曹根娣,陈高庭,戴凤妹,干福熹(中科院上海光机所.上海(201800))//光学学报.—1998,18(8).—1149—1151报道用电子束蒸发法制备的SrS(Eu,Sm)电子俘获薄膜的特性,给出了这种薄膜的X射线衍射图、原子力显微镜(AFM)形貌观察结果。展开更多
文摘O484.5 2003042956钒氧酞菁薄膜瞬态光电压性能的研究=Synthesis ofvanadyl phthalocyanine and study of structures and photovoltaicproperties of its film[刊,中]/张青(上海交通大学化学化工学院.上海(200030)),黄德音…∥感光科学与光化学.-2002,20(2).-96-99分别用1064 nm,532 nm和355 nm激发波长的YAG脉冲激光对所制备的phase-Ⅱ结构钒氧酞菁膜Al\phase-ⅡVOPc\ITO夹心电池进行瞬态光电压响应研究。随着3种波长激发光脉冲强度的增加,瞬态光电压信号均增强。激发光波长1064 nm、532 nm处于酞菁膜Q-带吸收区肩部,光电压的极性与激发光入射方向无关,均为负信号;而激发光波长355 nm处于酞菁膜B-带,光电压的极性与激发光入射方向有关,从ITO极方向激发产生正电压信号,从Al极激发产生负电压信号。
文摘O484.4 99042603可用于光存储和光学信息处理的SrS(Eu,Sm)电子俘获薄膜的研究=Study of SrS(Eu,Sm)electron—trappingthin film used in optical storage andinformation processing[刊,中]/阮昊,陈述春,方祖捷,曹根娣,陈高庭,戴凤妹,干福熹(中科院上海光机所.上海(201800))//光学学报.—1998,18(8).—1149—1151报道用电子束蒸发法制备的SrS(Eu,Sm)电子俘获薄膜的特性,给出了这种薄膜的X射线衍射图、原子力显微镜(AFM)形貌观察结果。