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GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型 被引量：5
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作者 张鸿欣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期591-596,共6页
提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响... 提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响）后的电学法测量值的差别约为３℃． 展开更多
关键词 砷化镓 场效应 微波功率器件 稳态热场分析
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