分子动力学研究高应变率对单晶铜空洞成核和生长过程的影响

利用分子动力学模拟研究了高应变率下单晶Cu空洞生长和聚集的损伤演化。计算单晶Cu在1.5 km/s和2.0 km/s时飞片速度的自由表面速度。当v0分别为1.5 km/s和2.0 km/s时,应变率分别为1.39 × 109 s?1和1.52 × 109 s?1。介绍了失效过程中的微观空间演变,并计算了相应的空隙分布和空隙体积分数。结果解释了高应变率下单晶Cu损伤演化的机制。另外,分析了应变率对空隙形核和生长的影响。这些结果为飞秒激光下金属层裂的实验研究提供了理论基础。