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极光带下层区电双层及密度空穴
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作者 廖晶晶 陈亮 毛伊敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2645-2649,共5页
为了得到极光带下层区电双层及密度空穴的形成和演化过程,分析了在静态极限下,强湍动等离子中低频电势、高频调制场及密度扰动之间的非线性耦合方程,并对其进行了数值计算。结果表明,在极光带下层区,坍塌的高频场导致了电双层及密度空... 为了得到极光带下层区电双层及密度空穴的形成和演化过程,分析了在静态极限下,强湍动等离子中低频电势、高频调制场及密度扰动之间的非线性耦合方程,并对其进行了数值计算。结果表明,在极光带下层区,坍塌的高频场导致了电双层及密度空穴的形成。所得的电双层为双双层,是一种非线性的实体,即腔子,其电势峰值范围为14~40V,厚度为100~200m,几十个Debye尺度;空穴的最大密度扰动率达到80%以上,这与FAST卫星观测结果相一致。 展开更多
关键词 电双层 密度空穴 等离子体 极光 数值计算
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空间飞行器诱发的密度空穴、高频场包络及电双层腔子 被引量:1
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作者 廖晶晶 刘三秋 《江西科学》 2010年第1期15-18,23,共5页
利用数值计算方法,选取二维三分量的泊松分布为初始扰动横场,研究了空间飞行器穿入电离层所引起的非线性效应,得到了密度、场及电势的演化图。结果显示,在飞行器远尾区形成了密度空穴、高频场包络及电双层三种坍塌腔子。研究这些效应对... 利用数值计算方法,选取二维三分量的泊松分布为初始扰动横场,研究了空间飞行器穿入电离层所引起的非线性效应,得到了密度、场及电势的演化图。结果显示,在飞行器远尾区形成了密度空穴、高频场包络及电双层三种坍塌腔子。研究这些效应对探测隐身飞行器以及预防电双层对飞行器造成的危害具有一定的意义。 展开更多
关键词 等离子体 飞行器 密度空穴 高频场包络 电双层
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FREJA卫星观测到的低混杂小尖峰和密度空穴的关系
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作者 黄光力 王德煋 +1 位作者 DomiliqueL.Q. BengtH 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期329-336,共8页
从FREJA卫星近期观测发现,地球低极尖区等离子体密度的衰减有多种可能的机制,不同机制所形成的密度空穴都可能捕获低混杂频率附近的湍动波,进而使原有的密度空穴加深.由于同时检测到静电和电磁的低混杂小尖峰,故提出电磁低混杂湍... 从FREJA卫星近期观测发现,地球低极尖区等离子体密度的衰减有多种可能的机制,不同机制所形成的密度空穴都可能捕获低混杂频率附近的湍动波,进而使原有的密度空穴加深.由于同时检测到静电和电磁的低混杂小尖峰,故提出电磁低混杂湍动的电场分量被密度空穴所捕获. 展开更多
关键词 极尖区 低混杂小尖峰 密度空穴 卫星观测 地磁
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粒子空穴态密度及多步复合核反应中的终态密度
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作者 毛铭德 郭华 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期116-124,共9页
导出了适用于多步复合核反应中所需的终态密度,粒子—空穴态密度被推广到区分中子、质子的情形,计算结果与有关的结果进行了比较,表明严格考虑泡利效应是十分必要的。
关键词 核反应 终态密度 粒子 空穴密度
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掺杂Fe^(3+)的TiO_2薄膜电极的电化学研究 被引量:1
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作者 霍莉 丁克强 +1 位作者 王庆飞 童汝亭 《微纳电子技术》 CAS 2005年第2期69-72,77,共5页
适量Fe^(3+)掺杂可以提高TiO2薄膜电极的光催化氧化活性。采用交流阻抗谱、平带电势等方法研究了掺杂Fe^(3+)的纳米TiO_2薄膜电极的表面结构特征及其催化性能,为其光电转换机理提供了电化学依据。
关键词 Fe^3+惨杂 TiO2薄膜电极 光催化氧化 交流阻抗 平带电势 空穴密度
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激光等离子体临界面处的强朗缪尔湍动 被引量:8
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作者 刘笑兰 刘三秋 杨小松 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期213-216,共4页
为了描绘出激光等离子体临界面处的强朗缪尔湍动,分析了激光等离子体中电磁波、朗缪尔波与离子声波的三波相互作用,采用二维三分量通过快速傅里叶变换方法数值求解萨哈罗夫方程。从图像中可看出,激光与等离子体的相互作用导致横波与朗... 为了描绘出激光等离子体临界面处的强朗缪尔湍动,分析了激光等离子体中电磁波、朗缪尔波与离子声波的三波相互作用,采用二维三分量通过快速傅里叶变换方法数值求解萨哈罗夫方程。从图像中可看出,激光与等离子体的相互作用导致横波与朗缪尔波之间出现的能量均分现象和密度空穴。求出了强朗缪尔波的强度和密度空穴的尺度,结果与粒子模拟的预测结果及实验所测数据大致相符。结果表明,数值分析仍是探究强朗缪尔湍动真实物理图像的一个有效途径。 展开更多
关键词 激光物理 朗缪尔波 数值分析 密度空穴 能量均分
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用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻 被引量:1
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作者 郑清洪 尹以安 +1 位作者 黄瑾 刘宝林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期403-407,共5页
提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现InGaN/AlGaN超晶... 提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现InGaN/AlGaN超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用。最后,利用p-InGaN/AlGaN超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27×10-5Ω.cm2的良好欧姆接触。 展开更多
关键词 欧姆接触 极化 离化率 空穴密度
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横等离激元与对等离子体的非线性相互作用 被引量:5
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作者 刘勇 刘三秋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期19-23,共5页
由色散方程和流体方程推导得到了横等离激元和对等离子体相互作用的非线性控制方程,利用场论的方法构建非线性控制方程的拉格朗日密度函数并求得相互作用过程中守恒的等离激元数和总能量。通过标度变换发现横等离激元由于调制不稳定性... 由色散方程和流体方程推导得到了横等离激元和对等离子体相互作用的非线性控制方程,利用场论的方法构建非线性控制方程的拉格朗日密度函数并求得相互作用过程中守恒的等离激元数和总能量。通过标度变换发现横等离激元由于调制不稳定性将坍塌形成小尺度的局域结构。在坍塌过程中横等离激元产生的有质动力随场强的增强而增强。由于有质动力对粒子的排斥,对等离子体中将产生小尺度的密度空穴。 展开更多
关键词 横等离激元 对等离子体 密度空穴 坍塌
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无碰撞磁场重联中的电子密度空穴和B_y的四极型分布 被引量:2
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作者 黄灿 王荣生 +1 位作者 陆全明 王水 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第24期3852-3857,共6页
在无碰撞磁场重联中,在分离线的区域的磁压远大于X点附近的磁压,由此产生了沿着分离线流向X点的电子束流,这些电子在X点被加速后,又沿着靠近分离线内侧的磁力线流出重联区.一般认为这样的电流体系产生了垂直于重联面的霍尔磁场的四极型... 在无碰撞磁场重联中,在分离线的区域的磁压远大于X点附近的磁压,由此产生了沿着分离线流向X点的电子束流,这些电子在X点被加速后,又沿着靠近分离线内侧的磁力线流出重联区.一般认为这样的电流体系产生了垂直于重联面的霍尔磁场的四极型分布,而且分离线附近区域电子密度会降低.通过二维粒子模拟方法研究了无引导场时的无碰撞磁场重联,证实了这样的电流体系.并且发现四极型磁场的峰值区较分离线(即电子密度的极小区)更加靠近电流片内侧,同时Cluster卫星簇的观测资料也证实了这一现象. 展开更多
关键词 无碰撞磁场重联 电子密度空穴 四极型分布
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空间飞行器远尾区诱发场的调制不稳定性
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作者 廖晶晶 王苏敏 李艳玲 《江西理工大学学报》 CAS 2012年第3期86-89,共4页
空间飞行器穿过电离层时,其远尾区与等离子体发生的非稳态相互作用可以通过一组高频场和密度扰动的非线性耦合方程来描述.从该组方程出发,通过线性分析得到扰动的色散方程.理论分析和数值计算表明,飞行器远尾区诱发场是调制不稳定的,它... 空间飞行器穿过电离层时,其远尾区与等离子体发生的非稳态相互作用可以通过一组高频场和密度扰动的非线性耦合方程来描述.从该组方程出发,通过线性分析得到扰动的色散方程.理论分析和数值计算表明,飞行器远尾区诱发场是调制不稳定的,它将会坍塌成小尺度的局域结构,并形成密度空穴,这为隐形飞行器的探测提供理论依据;诱发场的特征尺度与最大增长率不仅依赖于泵波振幅与扰动波矢量之间的夹角,同时也受到泵波能量密度的影响. 展开更多
关键词 飞行器 调制不稳定 密度空穴 坍塌
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多粒子空穴态密度中泡利原理效应
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作者 张竞上 杨显俊 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1989年第9期822-832,共11页
本文提出了一个严格求解多粒子空穴态密度中泡利原理效应的方法,并以激子模型为例给出了等间隔单粒子能级密度模型中的态密度的精确表示以及泡利原理修正值.结果表明,严格的泡利修正值要比以往用的Kalbach近似值大一倍多,相应地,激子态... 本文提出了一个严格求解多粒子空穴态密度中泡利原理效应的方法,并以激子模型为例给出了等间隔单粒子能级密度模型中的态密度的精确表示以及泡利原理修正值.结果表明,严格的泡利修正值要比以往用的Kalbach近似值大一倍多,相应地,激子态间跃迁率及平衡激子数也出现明显变化. 展开更多
关键词 粒子 空穴密度 泡利原理效应
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Numerical Study of Optimization of Layer Thickness in Bilayer Organic Light-Emitting Diodes 被引量:3
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作者 彭应全 张磊 张旭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期454-460,共7页
A numerical model for bilayer organic light-emitting diodes (OLEDs) is developed under the basis of trapped charge limited conduction.The dependences of the current density on the layer thickness,trap properties and c... A numerical model for bilayer organic light-emitting diodes (OLEDs) is developed under the basis of trapped charge limited conduction.The dependences of the current density on the layer thickness,trap properties and carrier mobility of the hole transport layer (HTL) and emission layer (EML) in bilayer OLEDs of the structure anode/HTL/EML/cathode are numerically investigated.It is found that,for given values of the total thickness of organic layers,reduced depth of trap,total density of trap,and carrier mobility of HTL as well as EML,there exists an optimal thickness ratio of HTL to EML,by which a maximal quantum efficiency can be achieved.Through optimization of the thickness ratio,an enhancement of current density and quantum efficiency of as much as two orders of magnitude can be obtained.The dependences of the optimal thickness ratio to the characteristic trap energy,total density of trap and carrier mobility are numerically analyzed. 展开更多
关键词 organic light-emitting diodes BILAYER OPTIMIZATION
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量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型
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作者 李立 刘红侠 杨兆年 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期348-354,共7页
Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了G... Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了Ge组分、缓冲层厚度、Si帽层厚度和衬底掺杂对阈值电压的影响.由于SiGe沟道层较薄,计算中考虑了该层价带势阱中的量子化效应.当栅电压绝对值过大时,由于能带弯曲和能级分裂造成SiGe沟道层中的空穴会越过势垒到达Si/SiO2界面,从而引起器件性能的退化.建立了量子阱SiGe PMOSFET沟道层的空穴面密度模型,提出了最大工作栅电压的概念,对由栅电压引起的沟道饱和进行了计算和分析.研究结果表明,器件的阈值电压和最大工作栅压与SiGe层Ge组分关系密切,Ge组分的适当提高可以使器件工作栅电压范围有效增大. 展开更多
关键词 SIGE P型场效应管 阈值电压 量子阱 空穴密度
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Charge Localization Induced by Reorientation of FA Cations Greatly Suppresses Nonradiative Electron-Hole Recombination in FAPbI3 Perovskites:a Time-Domain Ab Initio Study
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作者 Jin-lu He Yong-hao Zhu Run Long 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第5期642-648,I0079,共8页
Recent experiments report the rotation of FA(FA=HC[NH2]2+)cations significantly influence the excited-state lifetime of FAPbI3.However,the underlying mechanism remains unclear.Using ab initio nonadiabatic(NA)molecular... Recent experiments report the rotation of FA(FA=HC[NH2]2+)cations significantly influence the excited-state lifetime of FAPbI3.However,the underlying mechanism remains unclear.Using ab initio nonadiabatic(NA)molecular dynamics combined with time-domain density functional simulations,we have demonstrated that reorientation of partial FA cations significantly inhibits nonradiative electron-hole recombination with respect to the pristine FAPbI3 due to the decreased NA coupling by localizing electron and hole in different positions and the suppressed atomic motions.Slow nuclear motions simultaneously increase the decoherence time,which is overcome by the reduced NA coupling,extending electron-hole recombination time scales to several nanoseconds and being about 3.9 times longer than that in pristine FAPbI3,which occurs within sub-nanosecond and agrees with experiment.Our study established the mechanism for the experimentally reported prolonged excited-state lifetime,providing a rational strategy for design of high performance of perovskite solar cells and optoelectronic devices. 展开更多
关键词 Hybrid organic-inorganic perovskite Localized charge Non-radiative electronhole recombination Nonadiabatic molecular dynamics Time-dependent density functional theory
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Strain-tunable electronic and transport properties of MoS2 nanotubes 被引量:9
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作者 Weifeng Li Gang Zhang +1 位作者 Meng Guo Yong-Wei Zhang 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期518-527,共10页
Using density functional theory calculations, we have investigated the mechanical properties and strain effects on the electronic structure and transport properties of molybdenum disulfide (MoS2) nanotubes. At a sim... Using density functional theory calculations, we have investigated the mechanical properties and strain effects on the electronic structure and transport properties of molybdenum disulfide (MoS2) nanotubes. At a similar diameter, an armchair nanotube has a higher Young's modulus and Poisson ratio than its zigzag counterpart due to the different orientations of Mo-S bond topologies. An increase in axial tensile strain leads to a progressive decrease in the band gap for both armchair and zigzag nanotubes. For armchair nanotube, however, there is a semiconductor-to-metal transition at the tensile strain of about 8%. For both armchair and zigzag nanotubes, the effective mass of a hole is uniformly larger than its electron counterpart, and is more sensitive to strain. Based on deformation potential theory, we have calculated the carrier mobilities of MoS2 nanotubes. It is found that the hole mobility is higher than its electron counterpart for armchair (6, 6) nanotube while the electron mobility is higher than its hole counterpart for zigzag (10, 0) nanotube. Our results highlight the tunable electronic properties of MoS2 nanotubes, promising for interesting applications in nanodevices, such as opto-electronics, photoluminescence, electronic switch and nanoscale strain sensor. 展开更多
关键词 MoS2 nanotube strain engineering semiconductor-to-metaltransition carrier mobility density functional theory
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A-D-A small molecule donors based on pyrene and diketopyrrolopyrrole for organic solar cells
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作者 Jing-Qi Xu Wenqing Liu +6 位作者 Shi-Yong Liu Jun Ling Jiangquan Mai Xinhui Lu Chang-Zhi Li Alex K.-Y. Jen Hongzheng Chen 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期561-569,共9页
Three new electron donating small molecules (SMs), Pyr(EH-DPP)2, Pyr(HD-DPP)2 and PyrA(EH-DPP)2, are designed and synthesized through coupling electron rich pyrene core with electron deficient diketopyrrolopyr... Three new electron donating small molecules (SMs), Pyr(EH-DPP)2, Pyr(HD-DPP)2 and PyrA(EH-DPP)2, are designed and synthesized through coupling electron rich pyrene core with electron deficient diketopyrrolopyrrole (DPP) terminals, of which the derived organic solar cells (OSCs) exhibit interesting structure-performance correlation. It shows that the tune of their solubilizing side chains and n-bridge for the acceptor-donor-acceptor (A-D-A) SMs can significantly alter the resultant short-circuit current density and power conversion efficiency (PCE) in OSCs. The Pyr(EH-DPP)2 with short side chains displays broader absorption and higher hole mobility than the Pyr(HD-DPP)2 with long side chains. Although showing planar structure, the acetylene bridge-incorporated PyrA(EH-DPP)2 adapts an undesired edge-on packing and strong aggregation in film, leading to non-ideal morphology and poor miscibility with fullerene acceptors. As a result, the PCE of the solar cell based on Pyr(EH-DPP)2 is several times higher than those based on Pyr(HD-DPP): and PyrA(EH-DPP)2, indicating the A-D-A combination of polyaromatics with DPP would be the promising skeleton for developing photovoltaic semiconductors. 展开更多
关键词 solution-processed small molecules DIKETOPYRROLOPYRROLE PYRENE organic solar cells
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Eliminating the electric field response in a perovskite heterojunction solar cell to improve operational stability 被引量:1
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作者 Jiangjian Shi Yiming Li +4 位作者 Yusheng Li Huijue Wu Yanhong Luo Dongmei Li Qingbo Meng 《Science Bulletin》 SCIE EI CSCD 2021年第6期536-544,M0003,共10页
Intrinsic and extrinsic ion migration is a very large threat to the operational stability of perovskite solar cells and is difficult to completely eliminate due to the low activation energy of ion migration and the ex... Intrinsic and extrinsic ion migration is a very large threat to the operational stability of perovskite solar cells and is difficult to completely eliminate due to the low activation energy of ion migration and the existence of internal electric field.We propose a heterojunction route to help suppress ion migration,thus improving the operational stability of the cell from the perspective of eliminating the electric field response in the perovskite absorber.A heavily doped p-type(p^(+))thin layer semiconductor is introduced between the electron transporting layer(ETL)and perovskite absorber.The heterojunction charge depletion and electric field are limited to the ETL and p^(+)layers,while the perovskite absorber and hole transporting layer remain neutral.The p^(+)layer has a variety of candidate materials and is tolerant of defect density and carrier mobility,which makes this heterojunction route highly feasible and promising for use in practical applications. 展开更多
关键词 Perovskite solar cell Operational stability Ion migration HETEROJUNCTION Electric field
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