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高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响 被引量：3
1
作者 刘德武 朱文清 +3 位作者 吴有智 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第6期551-554,共4页
采用高频放电的方法对ITO电极表面进行了处理,并用接触势差法测量了处理前后的ITO表面功函数.用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒.此外,处理后的ITO的双层发光器件的驱动电压下降,发光亮度及效率... 采用高频放电的方法对ITO电极表面进行了处理,并用接触势差法测量了处理前后的ITO表面功函数.用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒.此外,处理后的ITO的双层发光器件的驱动电压下降,发光亮度及效率得到明显提高. 展开更多
关键词 高频放电 功函数 有机电致发光 空穴注入势垒
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