ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。

用C_(60)为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件

以富勒烯C60 作为空穴注入缓冲层 ,在结构为ITO/C60 /TPD/Alq3 /LiF/Al的器件中 ,改善了器件的发光效率。研究了C60 厚度对器件发光特性的影响。当C60 厚度为 1 6nm时 ,器件发光效率最高。在电流密度为 10 0mA/cm2 时 。

空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响

采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度 ,改善了器件的性能 ;而对于蓝色OLED ,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入 ,导致器件性能恶化 .这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响 。

空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响

在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。

掺杂不同一维纳米材料的空穴缓冲层对有机电致发光器件性能的影响

对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强相互作用,才减少了PEDOT/MEH-PPV界面上猝灭发光的缺陷态的产生。在以MEH-PPV作为发光层的聚合物电致发光器件中,在PEDOT中掺杂二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒后,器件的最大效率分别提高了2倍和2.5倍。

用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文)

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。

V_2O_5空穴缓冲层对绿色磷光OLED性能的影响

采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管(OLED)器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4'-N,N'-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,Ir(ppy)2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir(ppy)2acac/BCP/Alq3/Li F/Al。研究了不同厚度的V_2O_5作为空穴缓冲层对绿色磷光OLED器件发光性能的影响。结果表明,当V_2O_5薄膜的厚度为30 nm时,器件的性能最佳,其最大电流效率和最大功率效率分别为54.36 cd/A和48.77 lm/W,比未加入缓冲层的常规器件均提高了34%。在驱动电压为11 V时,亮度可达到28 990 cd/m2,且在电压从5 V上升至10 V的过程中,对应的色坐标仅从(0.36,0.60)变化为(0.36,0.61),具有很高的稳定性。分析认为适当厚度的V_2O_5薄膜降低了发光层中空穴的浓度,提高了空穴和电子载流子的复合效率。

具有新型空穴缓冲层材料TiO_2的有机薄膜发光器件

以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为3.45cd/A,有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。

磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件

采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。

空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响

本文利用有机发光材料4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)作为空穴缓冲层,制备了结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件.在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使器件的亮度和效率得到了改善.当2T-NATA的厚度为15 nm时,器件的性能最好.在电流密度为623mA/cm2时最大亮度达到16530cd/m2,对应的电流效率为2.65cd/A,器件的色坐标为(0.23,0.36),属于蓝绿光发射.

PrF_3阳极缓冲层对OLED器件性能的影响

使用真空热蒸镀法制备的OLED器件,利用不同厚度的PrF3作阳极缓冲层,并和未加缓冲层的器件进行了对比。实验结果表明:0.5 nm厚的PrF3阳极缓冲层可以有效增强OLED器件的空穴注入能力,增强电子和空穴的浓度平衡,优化器件的电致发光特性。器件的最大电流效率为4.9 cd/A,最大亮度为33 600 cd/m2,分别是未加入缓冲层的常规器件(3.7 cd/A,最大亮度为12 230 cd/m2)的1.3倍和2.75倍。

基于MoO_x材料在有机太阳能电池中的研究进展

有机太阳能电池具有材料来源广泛、柔性和能够大面积成膜等优点,成为光伏领域研究的热点问题。缓冲层材料的选取能有效提高有机太阳能电池的性能。氧化钼薄膜材料具有高透性、无毒等特点被应用到有机太阳能电池中。对氧化钼薄膜材料不同的制备方法进行综述,探讨氧化钼薄膜材料在有机太阳能电池中的应用。

基于Cu_xO材料在太阳能电池中应用研究进展

环境污染与能源的短缺是制约当今社会发展的重要因素之一。太阳能是一种可持续利用的资源,受到当今社会的重视。太阳能电池是利用光伏效应的一种器件,是未来解决能源短缺和环境污染的有效途径。太阳能电池可以分为无机太阳能电池、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池。Cu_xO材料具有资源广泛、带隙接近太阳光谱等特点,适合作为太阳能电池材料。因此,很有必要探讨Cu_xO材料在太阳能电池中的应用及发展趋势。