空穴、H+在SiO2体内输运的数值模拟研究

半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电荷的形成、退火以及H+的释放,从而影响界面态电荷的形成.本文建立Si/SiO2界面的物理模型,借助TCAD数值模拟方法,分析不同剂量率辐照条件下空穴和H+在SiO2体内的输运机制和浓度分布.

基于MoO_(x)选择性接触的SHJ太阳电池研究进展

非化学计量比氧化钼即MoO_(x)是一种n型半导体材料,能够取代硅异质结太阳电池中的p型非晶硅,输运n型晶体硅中的光生空穴。基于MoO_(x)空穴选择性接触的硅异质结太阳电池已经取得了高达23.5%的效率,并且有望降低生产成本。总结了基于MoO_(x)空穴选择性接触的硅异质结太阳电池的研究进展,综述了电池的空穴输运机制,为优化光伏器件性能和设计新型太阳电池提供一定借鉴作用。