与蛋白质调控DNA空穴迁移相关的具有负离解能特征的亚稳态氢键（英文）

利用密度泛函理论方法研究了作为空穴迁移载体的蛋白质复合的DNA三聚体(Protonated arginine…guanine…cytosine,Arg H+-GC)的氢键性质.结果表明,空穴迁移通过该载体单元时此类氢键表现为亚稳态,且具有明显的负离解能.正常情况下Arg H+基团在大小沟均能与GC碱对形成氢键,且具有正的离解能.然而,当空穴转移至此将削弱氢键至亚稳态,使之具有一定的离解势垒和负的离解能.这种势垒抑制的负离解能现象意味着由于空穴俘获导致此三聚体结构单元在它的Arg H+…N7/O6键区储存了一定的能量(约108.78 k J/mol).该氢键离解通道受控于此键区两个相关组分之间的静电排斥和氢键吸引之间的平衡以及这两个相反作用随氢键距离不同的衰减速率.基于电子密度分布的拓扑性质以及键临界点的Laplacian数值分析澄清了此类特殊的能量现象主要源自通过高能氢键(Arg H+…N7/O6)连接的授受体间的静电排斥.进一步空穴俘获诱导的G→C质子转移可扩展负离解能区至Arg H+…N7/O6和Watson-Crick(WC)氢键区.另外,Arg H+结合到GC的大小沟增加其电离势,因此削弱其空穴传导能力,削弱程度取决于Arg H+与GC的距离.推而广之,在protonated lysine-GC和protonated histidine-GC体系也可观察到类似的现象.显然,此类性质可调的亚稳态氢键可调控DNA空穴迁移机理.此工作为理解蛋白质调控的DNA空穴迁移机理提供了重要的能量学信息.

有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定

以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB（N,N’-diphenyl-N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）-4,4’diamine）为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm^-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10^-5~3.5×10^-4 cm2 V^-1s^-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.

考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出,增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率,从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。

金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED

采用金属氧化物掺杂的双空穴传输层[NPB:5%MoOx]/[NPB:3%TiO2]构建了高效率低电压有机电致发光器件(OLED)。以Alq3为发光层,器件的最大发光效率和功率效率分别达到了5.1 cd/A和2.7 lm/W,比非掺杂型NPB空穴传输层构建的OLED分别提高了46%和93%,而驱动电压则降低了约1.5 V。这是由于掺杂型双空穴传输层能有效调控空穴迁移特性,改善电荷平衡因子,从而促进了发光效率和功率效率的提高。

硅基不同晶面上的空穴迁移率研究

近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。

高空穴迁移率p沟道a-Si TFT

掺氢非晶硅(a-Si∶H)低空穴迁移率的问题已经通过控制膜中的氢含量而得到了解决.利用游离基控制法已经制备了具有低氢含量的a-Si膜,该法借助SiF_4和H_2混合物的辉光放电,并控制各反应成份的滞留时间.MOSFET样品表明空穴迁移率为0.12cm^2/Vs,电子迁移率为0.24cm^2/Vs.这为a-Si CMOS电路的可行性提供了论据.

空穴迁移演示装置

这里的LED显示器类似于半导体中空穴的运动。电路的核心是一个4017十进计数器。其钟脉冲由接成无稳态多谐振荡器的555集成块供给。在运作时,9个LED在任一瞬时点亮。然后,LED按顺序一次熄灭一个。 流过D1、D2和510欧电阻的电流使LED发光。当IC4017的一个输出变高时。

应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.

螺旋油楔滑动轴承空穴边界迁移研究

高速、超高速条件下,润滑油膜极易产生破裂,从而形成空穴。空穴的产生对高速主轴的运转平稳性具有重要影响,甚至成为制约机床主轴转速提高的主要障碍。在质量守恒边界条件下,采用有限差分法,对螺旋油楔滑动轴承润滑油膜进行了数值计算,分析了供油压力和主轴转速对空穴边界迁移的影响。结果表明:供油压力和主轴转速的改变使得空穴边界迁移方向相反;供油压力和主轴转速对油膜破裂位置基本上没有影响;油膜再形成位置受两者的影响较大。

孔道电位封闭及“空穴”传递理论初探

通过对离子交换膜表面 ζ电位和间歇通电时 ,电渗析隔室中离子变化的测定 ,建立了离子交换膜选择透过性的新理论 ,即孔道电位封闭及“空穴”传递理论 .

N型Hg0.805Cd0.195Te少数功流子迁移率

描述了少数载子漂移实验测量N型Hg1-xCdxTe少数载流子迁移率的实验原理及实验方法，给出了在80K左右几种温度下的N型Hg0.85Cd0.195Te少数载流子迁移率值，分析了实验误差，讨论了背景辐射对测量值的影响。

基于不同材料空穴传输层的FaSnI 3太阳能电池的研究

近年来,钙钛矿太阳能电池在光伏领域中深受科研人员的广泛关注。为了探索出高效稳定的太阳能电池,本文通过对不同材料空穴传输层的FaSnI_(3)太阳能电池进行研究,利用太阳能电池电容模拟器SCAPS对CUI、PEDOT:PSS和Cu_(2)O三种空穴传输层的FaSnI_(3)太阳能电池进行仿真模拟,然后对得到的数据进行分析。结果表明当FaSnI_(3)太阳能电池的空穴传输层发生变化时,其性能也会发生变化,填充因子和光电转换效率与初始模型的填充因子和光电转换效率相比都有提高。还通过研究得出,CUI和Cu_(2)O作为空穴传输层时,其太阳能电池光电转换效率的提高与空穴迁移率无关,随着空穴迁移率从0.001cm 2·vs^(-1)—100cm^(2)·vs^(-1)的增加,三种材料的FaSnI_(3)太阳能电池在空穴迁移率大于1cm^(2)·vs^(-1)时,其填充因子和光电转换效率不再发生变化,趋于稳定。

KBPh_4由水到系列水-醇混合溶剂的迁移自由能

The standard transfer Gibbs energies (Δ trG° )of KBPh4 from reference solvent of water to water/ethanol, water/propanol, water/2- propanol,water/ethylene glycol, water/glycerol mixtures in different proportional ratio have been studied. The interactions of KBPh4 with the above mixed solvents were analyzed. The standard transfer Gibbs energy of cavity(Δ trG° cav) and the standard transfer Gibbs energy of interaction(Δ trG° int) from water to water/2- propanol mixtures at 298.15 K were calculated by the Scaled Particle Theory (SPT).

通过具有高表面能和延长共轭链段的耐溶剂空穴传输材料实现高效喷墨打印QLED

量子点发光二极管(QLED)溶液法制备的特点和喷墨打印高度契合,在印刷显示器领域展现出巨大的应用潜力.制作QLED器件时,下层薄膜的表面能对上层薄膜的铺展起着至关重要的作用,高表面能可以促进不同功能膜层之间的紧密接触并减少漏电流.然而,已报道的交联空穴传输材料(HTM)低的表面能不利于喷墨打印.在此,我们通过分子设计开发了一种可交联HTM及其聚合物,新的聚合物命名为[9-(4-(乙氧基甲基)苯基)-3-(7-(9-(4-(己炔基)乙氧基甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)-9H-芴]-9H-咔唑(PDA-FLCZ),由3,3′-(9,9-二甲基-9H-芴-2,7-二基)双[9-(4-(丙-2-炔-1-氧基)甲基)苯基]-9H-咔唑(DA-FLCZ)聚合得到.这种新型HTM采用原位光热交联和预聚后热交联两种交联策略,都可以在较低的交联温度下形成稳定的网络结构,具有优异的耐溶剂性和较高的表面能.通过优化交联工艺,交联PDA-FLCZ薄膜实现了更高的空穴迁移率和更低的陷阱密度,其对应的旋涂QLED器件的最大外量子效率(EQE)达到17.59%,比基于DA-FLCZ的器件(14.25%)高出23%.此外,基于交联PDA-FLCZ的喷墨打印QLED显示出15.28%的最大EQE,接近其旋涂器件值的90%.

溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用

ZnO是一种重要的功能材料和新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。采用溶胶-凝胶(Sol-gel)工艺在Si(100)、Si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性。首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型Si(100)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率和高空穴迁移率的两种SiC薄膜样品,分析了该薄膜的性能。

含三芳胺聚西夫碱的光电性能研究

通过缩聚反应合成了含三芳胺聚西夫碱(polyschiffbase)功能材料聚N,N′ 三苯胺基对苯甲亚胺(PSB 1)和N,N′ 三苯胺基乙二甲亚胺(PSB 2)。采用红外分光光度计、1HNMR仪及紫外光谱仪对其结构进行了表征。光致双折射测量结果表明,两种材料均具有较大的光致双折射值,δn值分别为0.01和0.0013;又用渡越时间法(TOF)测量了PSB 1聚合物薄膜的空穴迁移率,μ值为1.68×10-4cm2·V-1·s-1。

截止波长12μm的p型-InAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的熔体外延生长

为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的p型-InAsSb外延层.用傅里叶红外光谱仪、Vander Pauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77K下测得,载流子浓度为9.18×1016cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1120cm2.Vs-1.

高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究

突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100℃、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。

引入液晶小分子实现高效厚膜三元有机太阳能电池

有机聚合物太阳能电池因其具有全固态、光伏材料性质可调范围宽、可实现半透明、可制成柔性器件以及可采用卷对卷印刷工艺大面积、低成本制备等突出优点而引起了广泛关注并得到了快速发展（1,2）。其中三元有机太阳电池作为一种有效提高电池器件效率的办法也成为有机聚合物太阳能电池研究中的一个热点3。一般情况下,

MoO_3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 A,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。