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有机发光材料DPVBi的空穴阻挡特性 被引量:7
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作者 姜文龙 王静 +4 位作者 丁桂英 汪津 王立忠 韩强 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期561-565,共5页
讨论了有机发光材料4,4’-bis(2,2'-diphenyl vinyl)-1,1’-biphenyl(DPVBi),在结构为ITO/N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine(NPB)/DPVBi/tfis-(8-hydroxyquinoline)aluminum... 讨论了有机发光材料4,4’-bis(2,2'-diphenyl vinyl)-1,1’-biphenyl(DPVBi),在结构为ITO/N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine(NPB)/DPVBi/tfis-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/LiF/Al的有机电致发光器件中所表现出来的空穴阻挡特性。通过实验可以看到,当NPB的厚度小于DPVBi的厚度时,DPVBi对空穴的阻挡作用和其自身的厚度有关,厚度越大阻挡能力越强。DPVBi的厚度一定(120nm)且不足以将空穴完全限制于DPVBi层内时,其对空穴的阻挡能力,随着NPB厚度(30—60nm)的增加而相对减弱。当NPB的厚度大于DPVBi的厚度时,进入DPVBi层的空穴,随着它们之间厚度差别的增大而增加,从而使器件的光谱半峰全宽加大。这几条规律对于制作基于DPVBi的有机蓝光和有机白光器件具有-定的指导意义。 展开更多
关键词 有机电致发光材料 空穴 空穴阻挡特性
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利用DPVBi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 被引量:3
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作者 姜文龙 丁桂英 +4 位作者 王静 汪津 王立忠 韩强 刘式墉 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期701-703,706,共4页
介绍了结构为:ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(5nm)/DPVBi(10~12nm)/Rubrene(0.5nm)/DPVBi(20~18nm)/Alq(50nm)/LiF(0.5nm)/Al的白光器件。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层,这种结构充分利用了DP... 介绍了结构为:ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(5nm)/DPVBi(10~12nm)/Rubrene(0.5nm)/DPVBi(20~18nm)/Alq(50nm)/LiF(0.5nm)/Al的白光器件。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层,这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性,有力地平衡了来自于DPVBi的蓝光、Alq的绿光和Rubrene的黄光,从而使器件发射性能较好的白光。当第一层的DPVBi和第二层的DPVBi的厚度分别是11nm和19nm时,其他层的厚度保持不变,该器件在15V电压下,最大亮度为11290cd/m^2,对应的效率为1.71cd/A,色坐标为(0.25,0.27),属于白光发射;在6V时,其最大效率为3.18cd/A。 展开更多
关键词 有机白光器件 空穴阻挡特性 DPVBI
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利用DPVBi阻挡和发光特性制作的白光器件
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作者 王立 韩强 +2 位作者 姜文龙 王静 汪津 《微计算机信息》 北大核心 2007年第35期282-284,共3页
本文利用DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性制作了一个白光器件。器件结构为:ITO/2T-NATA(20nm)/NPB(5nm)/DPVBi(11nm)/Rubrene(0.5nm)/DPVBi(19nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层,这种结构... 本文利用DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性制作了一个白光器件。器件结构为:ITO/2T-NATA(20nm)/NPB(5nm)/DPVBi(11nm)/Rubrene(0.5nm)/DPVBi(19nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层,这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性,有力的平衡了来自于DPVBi的蓝光,Alq3的绿光和Rubrene的黄光,从而使器件发出性能较好的白光。在电压为13V时,器件的最大亮度达到22210cd/m2,对应的效率为1.97cd/A,色坐标为(0.31,0.34),属于白光发射。而当电压为6V时,其最大效率达到3.05cd/A。 展开更多
关键词 白光器件 DPVBI 空穴阻挡特性:发光特性
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