p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列

采用巴丁 (Bardeen)传输哈密顿方法 ,数值计算了 p沟道锗 /硅异质纳米结构存储器的时间特性 .由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用 ,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储 ,具有优异的存储特性 .以 2× 2逻辑阵列为例说明了这类存储器单元组成逻辑电路的设计原理 .研究结果表明 :这种器件可以作为在室温下工作的性能优异的非易失性存储器单元 ,有望在将来的超大规模集成电路中获得应用 .

低电压倍增型高比探测率蓝光有机光电探测器

选取光电倍增结构探测器,在聚(3-己基噻吩)(P3HT)∶[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(PC_(61)BM)中掺入小比例碳60(C60)作电子陷阱,研究了在陷阱辅助作用下引入阴极空穴隧穿注入产生光电倍增的机理以及C_(60)浓度对器件光电性能的影响.当电子陷阱C60浓度为1.5wt.%时,-0.5V偏压下探测器在波长为455nm、光功率为0.21mW·cm^(-2)光照下外量子效率为436.4%,响应度为1.62A·W^(-1),比探测率为2.21×10^(13) Jones,线性动态范围约为100dB.光照下部分光生电子被活性层中的陷阱俘获,特别是在靠近阴极Al处的电子积累,将诱导阴极空穴隧穿注入,结合利用体异质结探测器低工作电压的优势,可大幅提高光电流,从而获得低工作电压、高比探测率的探测器.

电压调控型有机光电倍增探测器

采用改变有机探测器活性层中给受体比例的方法,实现器件工作电压的可调性.研究PBDT-TT-F∶PC 61 BM∶C 60光电倍增型器件中不同PC 61 BM浓度对空穴隧穿注入电压的影响.在接近600%的外量子效率下,通过调控PC 61 BM的浓度,既可以获得-3 V较低工作电压器件,也可以获得-6 V较高工作电压器件.结果表明,通过调节活性层中PC 61 BM的浓度,可以改变激子解离率和空穴传输能力,引起阳极对空穴注入电流收集率的变化,最终达到调控工作电压要求.本文为实现工艺简单、低工作电压且可调的倍增型有机光电探测器提供了参考.