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金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f^2噪声统一模型
被引量:
10
1
作者
杜磊
庄奕琪
薛丽君
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期2836-2841,共6页
应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验...
应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验中 ,观察到金属薄膜 1 fγ噪声在空洞成核前γ约为 1 0 ,一旦发生空洞成核 ,即突增至 1 6以上 。
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关键词
统一模型
金属薄膜
1/^γ噪声
电迁移
自由体积
空调成核
超大集成电路
原文传递
题名
金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f^2噪声统一模型
被引量:
10
1
作者
杜磊
庄奕琪
薛丽君
机构
西安电子科技大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期2836-2841,共6页
文摘
应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验中 ,观察到金属薄膜 1 fγ噪声在空洞成核前γ约为 1 0 ,一旦发生空洞成核 ,即突增至 1 6以上 。
关键词
统一模型
金属薄膜
1/^γ噪声
电迁移
自由体积
空调成核
超大集成电路
Keywords
metal film
I/f (y) noise
electromigration
free volume
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f^2噪声统一模型
杜磊
庄奕琪
薛丽君
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
10
原文传递
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