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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究
被引量:
5
1
作者
张少强
徐重阳
+4 位作者
邹雪城
赵伯芳
周雪梅
王长安
戴永兵
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期53-56,共4页
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:HTFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:HTFT静态特性的影响明显增大.文中详细分析了有源层背面空间电荷层...
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:HTFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:HTFT静态特性的影响明显增大.文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:HTFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致.
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关键词
非晶硅
薄膜晶体管
有源
层
厚度
空间电行层
下载PDF
职称材料
题名
薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究
被引量:
5
1
作者
张少强
徐重阳
邹雪城
赵伯芳
周雪梅
王长安
戴永兵
机构
华中理工大学团体电子学系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期53-56,共4页
文摘
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:HTFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:HTFT静态特性的影响明显增大.文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:HTFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致.
关键词
非晶硅
薄膜晶体管
有源
层
厚度
空间电行层
Keywords
Amorphous silicon, Thin-film transistors, Active layer thickness, Space chargelayer
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究
张少强
徐重阳
邹雪城
赵伯芳
周雪梅
王长安
戴永兵
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
5
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