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谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究(英文) 被引量：2
1
作者 梁琨 杨晓红 +1 位作者 杜云 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期637-640,共4页
采用MBE生长In0 .3 Ga0 .7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料 ,制备出工作在10 60nm及 1310nm波段的谐振腔增强型光电探测器 .对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析 ,改变光束入射角度 。
关键词 谐振腔增强型光电探测器 空间角度相关特性 量子阱 GAINNAS GAAS 砷化镓 半导体
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