期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管
1
《变频器世界》
2005年第1期33-33,共1页
2004年12月13-15日,在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和...
2004年12月13-15日,在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和模拟电路的可伸缩性晶体管概念。现在,人们终于可以将互补穿隧式场效应晶体管(TFET)用于标准硅工艺,制造出具备出色静态和动态性能的芯片。
展开更多
关键词
穿隧式场效应晶体管
数字电路
模拟电路
可伸缩性
晶体管
英飞凌科技公司
IEDM
下载PDF
职称材料
题名
英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管
1
出处
《变频器世界》
2005年第1期33-33,共1页
文摘
2004年12月13-15日,在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和模拟电路的可伸缩性晶体管概念。现在,人们终于可以将互补穿隧式场效应晶体管(TFET)用于标准硅工艺,制造出具备出色静态和动态性能的芯片。
关键词
穿隧式场效应晶体管
数字电路
模拟电路
可伸缩性
晶体管
英飞凌科技公司
IEDM
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管
《变频器世界》
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部