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基于SBT忆阻器元件的神经突触设计
被引量:
1
1
作者
孙菊斋
刘文昊
+4 位作者
陆增
孙广杰
窦明龙
窦刚
李玉霞
《中国科技论文》
CAS
北大核心
2019年第3期334-339,共6页
利用SBT(Sr0.95Ba0.05TiO3)忆阻器进行神经突触设计,并分析其模拟的神经突触的性能。首先,采用分周期积累建模的方法对测得的忆阻器电压、电流数据进行建模,得到SBT忆阻器忆导值随时间的变化;其次,将忆导值作为突触权重,拟合到忆阻器普...
利用SBT(Sr0.95Ba0.05TiO3)忆阻器进行神经突触设计,并分析其模拟的神经突触的性能。首先,采用分周期积累建模的方法对测得的忆阻器电压、电流数据进行建模,得到SBT忆阻器忆导值随时间的变化;其次,将忆导值作为突触权重,拟合到忆阻器普遍适用的模型中,更好地描述SBT忆阻突触的记忆及遗忘特性;最后,通过数值仿真实验对SBT忆阻突触的脉冲突触可塑性、长/短时记忆可塑性及"学习经验式"行为进行分析。实验结果表明,SBT忆阻突触具有良好的突触可塑性,能够实现类脑学习、记忆过程。
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关键词
SBT忆阻器
突触建模
人工神经
突触
突触
可塑性
下载PDF
职称材料
题名
基于SBT忆阻器元件的神经突触设计
被引量:
1
1
作者
孙菊斋
刘文昊
陆增
孙广杰
窦明龙
窦刚
李玉霞
机构
山东科技大学电气与自动化工程学院
出处
《中国科技论文》
CAS
北大核心
2019年第3期334-339,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61703246,61473177,61703247)
文摘
利用SBT(Sr0.95Ba0.05TiO3)忆阻器进行神经突触设计,并分析其模拟的神经突触的性能。首先,采用分周期积累建模的方法对测得的忆阻器电压、电流数据进行建模,得到SBT忆阻器忆导值随时间的变化;其次,将忆导值作为突触权重,拟合到忆阻器普遍适用的模型中,更好地描述SBT忆阻突触的记忆及遗忘特性;最后,通过数值仿真实验对SBT忆阻突触的脉冲突触可塑性、长/短时记忆可塑性及"学习经验式"行为进行分析。实验结果表明,SBT忆阻突触具有良好的突触可塑性,能够实现类脑学习、记忆过程。
关键词
SBT忆阻器
突触建模
人工神经
突触
突触
可塑性
Keywords
SBT memristor
synaptic modeling
artificial synapse
synaptic plasticity
分类号
TP183 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SBT忆阻器元件的神经突触设计
孙菊斋
刘文昊
陆增
孙广杰
窦明龙
窦刚
李玉霞
《中国科技论文》
CAS
北大核心
2019
1
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职称材料
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参考文献
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