基于SBT忆阻器元件的神经突触设计

利用SBT(Sr0.95Ba0.05TiO3)忆阻器进行神经突触设计,并分析其模拟的神经突触的性能。首先,采用分周期积累建模的方法对测得的忆阻器电压、电流数据进行建模,得到SBT忆阻器忆导值随时间的变化;其次,将忆导值作为突触权重,拟合到忆阻器普遍适用的模型中,更好地描述SBT忆阻突触的记忆及遗忘特性;最后,通过数值仿真实验对SBT忆阻突触的脉冲突触可塑性、长/短时记忆可塑性及"学习经验式"行为进行分析。实验结果表明,SBT忆阻突触具有良好的突触可塑性,能够实现类脑学习、记忆过程。