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液晶栅介质场效应晶体管及突触行为模拟 被引量:1
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作者 张云峰 葛丰 +1 位作者 邱龙臻 王晓鸿 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期451-456,共6页
采用液晶E7作为栅介质,聚异靛蓝噻吩乙烯噻吩(PII-TVT)作为半导体,利用光刻/蚀刻技术制备了漏极-源极-栅极(D-S-G)共面的有机场效应晶体管器件,并测试了晶体管性能,对液晶作为栅介质应用于有机场效应晶体管进行研究。实验结果表明,器件... 采用液晶E7作为栅介质,聚异靛蓝噻吩乙烯噻吩(PII-TVT)作为半导体,利用光刻/蚀刻技术制备了漏极-源极-栅极(D-S-G)共面的有机场效应晶体管器件,并测试了晶体管性能,对液晶作为栅介质应用于有机场效应晶体管进行研究。实验结果表明,器件表现出比较特别的晶体管性能,开关比达到10~3。通过光学显微镜观察发现,施加栅极电压后液晶发生形变,表明栅极电压对电极上的液晶分子的取向排列有较大影响。在施加脉冲栅压时,沟道电流随着脉冲栅压时间的延长而增强。利用液晶分子在电场下发生极化和迟滞作用,可一定程度上模拟突触的刺激时间依赖性。 展开更多
关键词 液晶 液晶栅介质有机场效应晶体管 极化 突触行为
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触发ASD重复刻板行为的三大原因分析
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作者 陶朝阳 苏振 +1 位作者 邓伟科 朱晓敏 《心理学进展》 2024年第11期214-220,共7页
ASD儿童具有高度异质性,各种症状的明确定义及机理尚未得到完全解析,以至于主次矛盾不突出、研究方向不明晰。文章以19世纪60年代罗马尼亚孤儿院案例开始,分析刺激不足对突触修剪的影响,并进一步把刺激分类为外源性和内源性两种,最终得... ASD儿童具有高度异质性,各种症状的明确定义及机理尚未得到完全解析,以至于主次矛盾不突出、研究方向不明晰。文章以19世纪60年代罗马尼亚孤儿院案例开始,分析刺激不足对突触修剪的影响,并进一步把刺激分类为外源性和内源性两种,最终得到皮层下中枢“熵增”的三大原因:发育不良、功能紊乱和器质性病变,解析了ASD核心症状之一重复刻板行为异质性的原因。Children with ASD are highly heterogeneous, and the clear definition and mechanism of various symptoms have not been fully resolved, so that the primary and secondary contradictions are not prominent, and the research direction is also not clear. This paper starts with the case of the Romania orphanage in the 1960s, analyzes the effect of insufficient stimulation on synaptic pruning, further classifies the stimulation into exogenous and endogenous two, and finally obtains the three major causes of “entropy increase” in the subcortical center: dysplasia, dysfunction and organic lesions, and analyzes the reasons for the heterogeneity of the repetitive stereotyped behavior. 展开更多
关键词 ASD、突触修剪、重复刻板行为、皮层下中枢、因果分析
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氧化锌/氧化钽双介质层忆阻器的突触特性分析
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作者 胡敏锐 周海芳 赖云锋 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第5期596-601,共6页
针对TaOx单介质层忆阻器在高低阻态突变切换和高运行功耗对突触可塑性模拟方面的不足,提出将氧化锌介质层引入Ti/TaOx/ITO忆阻器中的方案,拟改善其突触性能.研究发现,器件Ti/ZnO/TaOx/ITO在功耗和电导调制线性度方面皆有改善,并有着电... 针对TaOx单介质层忆阻器在高低阻态突变切换和高运行功耗对突触可塑性模拟方面的不足,提出将氧化锌介质层引入Ti/TaOx/ITO忆阻器中的方案,拟改善其突触性能.研究发现,器件Ti/ZnO/TaOx/ITO在功耗和电导调制线性度方面皆有改善,并有着电阻渐变的行为,利于器件突触功能的实现及应用.为此对Ti/ZnO/TaOx/ITO双介质层器件进行电压脉冲训练,并成功模拟学习饱和、经验学习,以及短时程记忆向长时程记忆转变等生物突触行为. 展开更多
关键词 忆阻器 低功耗 突触行为 人工突触 氧化钽
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一种氧化锌纳米线突触晶体管的研究
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作者 陈凡 《信息记录材料》 2022年第11期31-34,共4页
本文制备了一种低功耗的单根ZnO纳米线晶体管,发现其具有作为电子突触器件前提的阈值可调性,即可以通过改变阈值调节器件电导。通过实验研究,我们成功地在该ZnO-NW晶体管上模拟出生物突触的长时程增强/抑制、突触饱和、与人体大脑类似... 本文制备了一种低功耗的单根ZnO纳米线晶体管,发现其具有作为电子突触器件前提的阈值可调性,即可以通过改变阈值调节器件电导。通过实验研究,我们成功地在该ZnO-NW晶体管上模拟出生物突触的长时程增强/抑制、突触饱和、与人体大脑类似的遗忘和“学习-经验”行为等行为。 展开更多
关键词 电子突触器件 低功耗 ZnO纳米线晶体管 生物突触行为
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