多孔GaN/MoO3异质结窄带响应紫外光电探测器

紫外光电探测器在空间天文望远镜、军事导弹预警、非视距保密光通信、野外火灾遥感和生化检测等方面具有非常广泛的应用前景。本文介绍了一种基于GaN纳米孔阵列/MoO3异质结紫外光电探测器。通过简单的光电化学刻蚀方法,将平面u-GaN刻蚀成均匀的纳米孔,以减少表面缺陷,增强光吸收。在多孔GaN材料上沉积MoO3薄膜,制成多孔GaN/MoO3异质结。实验结果表明,该紫外光探测器在−3 V偏压下的光开/关比超过103;与纯多孔GaN器件相比,异质结器件的响应度和外量子效率均提高了两个数量级。此外,该异质结器件具有窄带响应,半峰宽度仅10 nm。这种具有高开关比、高量子效率和窄带响应特性的光电探测器有望实现在荧光检测、成像和紫外光通信方面的应用。

倍增型窄带响应有机光电探测器的界面调控

倍增型窄带响应有机光电探测器,具有响应窗口窄且外量子效率(EQE)高等优势,在需要检测特定波长光的应用场景受到广泛关注.此类器件的有机光活性层由给体和受体组成,其中受体在电极界面的浓度分布显著影响窗口半峰宽和EQE,因此其精准调控至关重要.本工作中,将有机光活性层中的给体和受体分步成膜,利用热退火下给受体互扩散特性,实现了受体在电极界面的浓度分布的可控调节.相比传统的给体和受体共混成膜的器件,给体和受体分步成膜的器件通过优化给受体比例和热退火条件,展现出了更加优异的器件性能.

多孔GaN/CuZnS异质结窄带近紫外光电探测器

窄带光电探测系统在荧光检测、人工视觉等领域具有广泛应用.为了实现对特殊波段的窄带光谱探测,传统上需要将宽带探测器和光学滤波片集成.但是,随着检测技术的发展,人们对探测系统的功耗、尺寸、成本等方面也提出了更高要求,结构复杂、成本高的传统窄带光电探测器应用受到限制.于是,本文展示了一种基于多孔GaN/CuZnS异质结的无滤波、窄带近紫外光电探测器.通过光电化学刻蚀和水浴生长方法,分别制备了具有低缺陷密度的多孔GaN薄膜和高空穴电导率的CuZnS薄膜,并构建了多孔GaN/CuZnS异质结近紫外光电探测器.得益于GaN的多孔结构和CuZnS的光学滤波作用,器件在–2 V偏压、370 nm紫外光照下,光暗电流比超过4个数量级;更重要的是,器件具有超窄带近紫外光响应(半峰宽<8 nm,峰值为370 nm).此外,该探测器的峰值响应度、外量子效率和比探测率分别达到了0.41 A/W,138.6%和9.8×10^(12)Jones.这些优异的器件性能显示了基于多孔GaN/CuZnS异质结的近紫外探测器在窄光谱紫外检测领域具有广阔的应用前景.

窄带有机光电探测器的优化设计

针对基于无机材料的光电探测器需要借助滤光器或棱镜耦合实现窄带响应,提出了一种通过有机材料制备窄带光电探测器并提高吸收峰值和降低半高全宽的方法和结构。该器件由分布布拉格反射器和有机光电二极管构成。有机光电二极管的顶电极和底电极之间构成光学微腔。采用传输矩阵法,详细分析了分布布拉格反射器的中心波长、有机光电二极管透明顶电极和光敏感层的厚度对有机光电探测器吸收性能的影响。研究结果表明,Tamm等离激元共振波长接近光敏感层的光学带隙时,可获得半高全宽小于20 nm的窄带响应,并且吸收峰值在70%以上。基于PTB7∶PC^(71)BM和PTB7-Th∶IEICO-4F的有机光电探测器分别可用于探测红光和近红外光。该研究从基本物理机制出发,结合材料和器件结构可将有机光电探测器的响应窗口从可见光拓展至近红外光。

解读无线通信设备电磁兼容系列标准通用要求

介绍了无线通信设备电磁兼容性要求和测量方法的通用技术要求,如试验布置、免测频段、窄带响应、性能判据等,并对复合无线电设备、多模终端的电磁兼容测试导则进行了解读。