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题名窄间隙介质阻挡放电清除硅片表面颗粒污染物
被引量:2
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作者
何叶
袁慧
冷白羽
杨波
白敏菂
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机构
大连海事大学理学院
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第5期409-414,420,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61671100,61371027)。
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文摘
硅片清洗技术已成为制备高技术电子产品的关键技术。采用窄间隙介质阻挡放电方法研制了低温氧等离子体源,把氧离解、电离、离解电离成O、O-、O+和O2(a1Δg)等低温氧等离子体,其中O-和O2(a1Δg)活性粒子进一步反应形成高质量浓度臭氧气体,再溶于酸性超净水中,用于去除硅片表面颗粒污染物。实验结果表明:当等离子体源输入功率为300 W时,臭氧气体质量浓度最高为316 mg/L;高质量浓度臭氧气体溶于pH值为3.8的超净水中形成臭氧超净水,质量浓度为62.4 mg/L;在硅片清洗槽内,高质量浓度臭氧超净水仅用30 s就可去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni和Ti等金属颗粒物,去除率分别为98.4%、95.2%、88.4%、85.2%和64.1%。本方法与目前普遍使用的RCA清洗法相比,具有无需大剂量化学试剂和多种液体化学品、清洗工艺简单、投资及运行成本低等优势。因此,窄间隙介质阻挡放电清洗硅片表面颗粒污染物技术具有广阔的市场应用前景。
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关键词
窄间隙介质阻挡放电
硅(Si)
臭氧超净水
清洗
颗粒污染物
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Keywords
narrow gap dielectric barrier discharge
silicon(Si)
ozone ultra-clean water
cleaning
particle pollutant
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名制取高浓度臭氧超净水方法及其设备
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作者
白敏菂
何叶
杨波
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机构
大连海事大学理学院
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出处
《电子工业专用设备》
2018年第5期22-25,54,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)(2008AA06Z317)
国家自然科基金资助项目(61371027
+2 种基金
507778028
50578020
61671100)
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文摘
采用超窄间隙介质阻挡电离放电方法将氧离解、电离、电离离解成低温氧等离子体,其中O^-和O_2(a^1Δg)等活性粒子在电场中反应生成高浓度臭氧O_3,臭氧浓度达到286 mg/L。臭氧产生设备输出高浓度臭氧输送给气液溶解混合装置,将高浓度臭氧强激励溶解于超净水中形成高浓度臭氧超净水,仅用3 min其浓度达到54.6 mg/L。所形成高浓度超净臭氧水将把硅片表面颗粒物、金属离子、粘附有机物、自然氧化膜等消除掉。解决硅片表面存在的质量技术问题。
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关键词
清洗硅片表面
臭氧超净水
超窄间隙介质阻挡电离放电
等离子体源
气液溶解混合
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Keywords
Cleaning the surface of the silicon wafer
Ozone ultrapure water
Ultra-narrow gap dielectric barrier ionization discharge
Plasma source
Gas-liquid dissolving and mixing
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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