FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法

制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过程中从技术角度提出了两种自下而上制样方案来抑制窗帘效应。为扩大样品的可表征视场范围,在避免样品弯曲的前提下,提出了一种薄片提取方法。结果表明,离子束流越大,窗帘效应越严重,自下而上方法能有效规避窗帘效应;离子束电压30 kV时采用清洗截面(CCS)模式、5 kV/2 kV时采用矩形模式,样品台倾斜补偿角度为1.5°~3.5°,进行交叉减薄,且最终铣削长度控制在1μm时减薄效果最好;新的薄片提取方法改变了样品的铣削方向,在避免窗帘效应破坏感兴趣结构和样品弯曲的前提下,将样品的可表征视场范围扩大了5倍。研究结果对优化TEM样品制备方法以及芯片失效分析提供了参考。

渤中地区EWR–Phase4随钻测井异常响应特征

结合井眼环境下随钻测井电磁场数值模拟计算的研究结果,分析了中浅电阻率和相位移深中浅电阻率这两大类随钻电阻率曲线异常变化的主要特征和产生的原因。并以中海油渤中地区哈里伯顿公司EWR–Phase 4随钻测井仪器所测量的这两类电阻率曲线为例进行详细阐述。选取了3口典型井的随钻幅度衰减和相位移电阻率曲线,通过对地层岩性、渗透性、泥浆侵入,机械钻速、井眼环境等几个因素的分析,特别是对极浅、浅、中和深电阻率曲线的变化范围和变化趋势等曲线特征进行了分析。研究认为,电阻率曲线异常主要表现为佐罗效应、"窗帘花边"效应和极化角突变等几种主要类型,而引起这种异常变化的原因既有井眼或地层倾斜的影响,也有薄互层、非均质性、螺纹井眼以及钻铤侧向震动等诸多方面的影响。