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金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备
1
作者
杨洁
张航
+2 位作者
王成新
刘洪武
李迅
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
2000年第2期65-67,共3页
利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料 ,采用恒浓度高温扩散方法制备 n型立方氮化硼半导体材料 .通过化学气相沉积方法在 n型立方氮化硼上外延生长 p型金刚石薄膜 .在此基础上 ,通过欧姆接触电极的制作 ,制备出金刚石薄膜 /立方氮化硼...
利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料 ,采用恒浓度高温扩散方法制备 n型立方氮化硼半导体材料 .通过化学气相沉积方法在 n型立方氮化硼上外延生长 p型金刚石薄膜 .在此基础上 ,通过欧姆接触电极的制作 ,制备出金刚石薄膜 /立方氮化硼异质 pn结 ,并给出 pn结的伏安特性曲线 .
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关键词
金刚石薄膜
立方
氮化
硼
伏安特性
异质
结
制备
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职称材料
cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
2
作者
陈光华
邓金祥
+3 位作者
宋雪梅
李茂登
于春娜
冯贞健
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期483-486,共4页
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和...
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。
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关键词
立方氮化硼/硅n-p异质结
伏-安特性
电容-电压特性
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职称材料
N-型立方氮化硼的欧姆接触的制备
3
作者
王成新
高春晓
+3 位作者
张铁臣
刘洪武
李迅
邹广田
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期556-558,共3页
文内报告了尺寸为 0 .3× 0 .3mm2 的立方氮化硼单晶的N 型掺杂 ,然后用特殊的测量装置测量了N 型立方氮化硼的欧姆接触之后的伏 -安特性。
关键词
立方
氮化
硼
欧姆接触
异质
结
N-型
半导体
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职称材料
题名
金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备
1
作者
杨洁
张航
王成新
刘洪武
李迅
机构
长春
吉林大学原子与分子物理研究所
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
2000年第2期65-67,共3页
文摘
利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料 ,采用恒浓度高温扩散方法制备 n型立方氮化硼半导体材料 .通过化学气相沉积方法在 n型立方氮化硼上外延生长 p型金刚石薄膜 .在此基础上 ,通过欧姆接触电极的制作 ,制备出金刚石薄膜 /立方氮化硼异质 pn结 ,并给出 pn结的伏安特性曲线 .
关键词
金刚石薄膜
立方
氮化
硼
伏安特性
异质
结
制备
Keywords
diamond film
cubic boron nitride
pn junction
I V characteristics
分类号
O475 [理学—半导体物理]
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
2
作者
陈光华
邓金祥
宋雪梅
李茂登
于春娜
冯贞健
机构
北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期483-486,共4页
文摘
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。
关键词
立方氮化硼/硅n-p异质结
伏-安特性
电容-电压特性
Keywords
cBN/Si N p heterojunctions
I V characteristics
C V characteristics
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
N-型立方氮化硼的欧姆接触的制备
3
作者
王成新
高春晓
张铁臣
刘洪武
李迅
邹广田
机构
吉林大学超硬材料国家重点实验室
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期556-558,共3页
文摘
文内报告了尺寸为 0 .3× 0 .3mm2 的立方氮化硼单晶的N 型掺杂 ,然后用特殊的测量装置测量了N 型立方氮化硼的欧姆接触之后的伏 -安特性。
关键词
立方
氮化
硼
欧姆接触
异质
结
N-型
半导体
Keywords
c BN
ohmic contact
hereo junction
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备
杨洁
张航
王成新
刘洪武
李迅
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
2000
0
下载PDF
职称材料
2
cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
陈光华
邓金祥
宋雪梅
李茂登
于春娜
冯贞健
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
3
N-型立方氮化硼的欧姆接触的制备
王成新
高春晓
张铁臣
刘洪武
李迅
邹广田
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
下载PDF
职称材料
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