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低压等离子体增强化学汽相沉积法制备立方氮化碳薄膜
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作者 张志宏 郭怀喜 +3 位作者 余非为 熊启华 叶明生 范湘军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期1047-1051,共5页
用低压等离子体增强化学汽相沉积法和氮化硅中间过渡层的方法,在硅片和玻璃上,制备了立方氮化碳薄膜.用光电子能谱测试了其成分和结合能,薄膜含氮量为4296%.C1s和N1s的结合能分别为28501和39860eV.... 用低压等离子体增强化学汽相沉积法和氮化硅中间过渡层的方法,在硅片和玻璃上,制备了立方氮化碳薄膜.用光电子能谱测试了其成分和结合能,薄膜含氮量为4296%.C1s和N1s的结合能分别为28501和39860eV.透射电子显微镜研究表明,制备的氮化碳属于体心立方结构,根据衍射花样,计算的晶格常量a为0536nm,这与理论预言的结果a为053973nm很接近.随着沉积的时间增长,还观测到了氮化碳薄膜的菊池花样.在玻璃上沉积的氮化碳薄膜在可见光和近红外区域是透明的,在400nm处有光吸收. 展开更多
关键词 低压 等离子体 薄膜制备 PECVD 立方氮化碳
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