用于离子束辅助镀膜的两种模式端部霍尔离子源的比较

介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔离子源的工作原理,并论述了端部霍尔离子源的离子能量、离子分布特性的测试方法;详细论述了电磁场和永久磁场两种模式下,端部霍尔离子源的工作稳定性、离子能量大小以及离子束分布特性的比较。

端部霍尔离子源的磁场设计与数值模拟

首先简单介绍了用于离子束辅助沉积的端部霍尔离子源的工作原理,然后分析了其性能对磁场的要求,据此介绍了磁路组件的设计。最后,采用AN SY S大型有限元分析软件对一个条形的端部霍尔离子源的磁场进行了模拟计算,并与实验结果进行了比较,获得了满意的结果。通过对模拟结果的分析,获得了对该离子源磁场分布的直观深入的认识,为具体的端部霍尔离子源的改进设计提供了理论指导。

宽束冷阴极和端部霍尔离子源对薄膜透过率和应力的影响

在宽束冷阴极离子源和端部霍尔离子源辅助沉积情况下,利用南光ZZS700-1/G箱式镀膜机,通过实验分别验证了这两种离子束辅助沉积对光学膜层透过率和应力的影响。通过对大量实验数据进行分析,得出利用低能量和大电流离子束辅助沉积光学薄膜时,膜层性能优于高能量离子束辅助沉积膜层。分析了膜层特性改变的原因,并提出了合理的工艺参数。实验结果表明,低能量、大电流的离子束辅助沉积使光学薄膜的性能更佳。

端部霍尔等离子体源沉积类金刚石膜的研究

本文通过对端部霍尔离子源特性的研究 ,采用自行研制的用于离子束辅助沉积的端部霍尔离子源成功镀制了类金刚石膜 ,并对采用该离子源制备类金刚石膜的工艺进行了研究和分析。实验结果表明 ,采用端部霍尔离子源镀制类金刚石膜不仅操作简单、可实现大面积沉积 ,而且类金刚石膜的沉积速率较大 ,最大可达 0 .8nm s,其折射率依不同工艺在 1.8～ 2 .2之间可调。并对不同工艺条件下制备的类金刚石膜的硬度进行了测试和分析。