符合多普勒展宽谱的源修正研究

测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。

直拉单晶硅太阳能电池光致衰减效应的正电子湮没谱研究

采用正电子湮没辐射多普勒展宽谱研究了光照和热处理对直拉单晶硅太阳能电池微观缺陷和输出特性的影响。结果表明:随着光照时间的增加,太阳能电池的转换效率逐渐下降,照射超过12h后达到一个稳定值;将辐照后样品在200℃下热处理2h后,转换效率逐渐回复;电池中的硼氧复合体缺陷的激活和钝化导致电池转换效率和多普勒展宽谱的变化。

Co离子掺杂金红石TiO2晶体的正电子湮没

室温稀磁半导体是自旋电子器件研究的关键途径,但其室温铁磁性的内禀性及其起源的研究有争议。正电子湮没谱学方法(PAS)是研究材料缺陷的重要实验手段。为了建立缺陷结构与材料铁磁性之间的相互关系,用离子注入法制备了注入剂量不同的Co离子掺杂金红石TiO2晶体薄膜,在北京慢正电子束流装置上以不同的入射电子能量测量了样品的正电子湮没多普勒展宽能谱(DBS)和正电子符合多普勒展宽谱(CDB),分析样品的缺陷浓度和缺陷类型。DBS谱的S参数和W参数分析表明,Co离子的注入使样品出现了新的湮没机制。CDB谱的商谱分析说明,Co离子注入TiO2晶体后产生了Ti-Co-VO型和Ti-VO型氧空位复合体,样品中空位浓度随Co离子注入剂量有所增加,它是由氧空位周围过剩的Ti原子的3d电子所引起。

Doppler程序对金红石型TiO_2的空位缺陷研究

金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱.

Doppler程序对Cu-C共掺杂金红石型TiO_2的理论研究

论文在密度泛函理论和局域密度近似(LDA)的基础上,应用Doppler程序计算了Cu掺杂、C掺杂、Cu-C共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱。

Doppler程序对C、N掺杂金红石型TiO_2的理论研究

本文在密度泛函理论和广义梯度近似(GGA)的基础上,应用Doppler程序计算了C掺杂、N掺杂、C-N共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并且从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱.