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Ni_3Al中择优替位的第一原理势研究 被引量:1
1
作者 申江 王奕 +1 位作者 陈难先 伍瑜 《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》 2000年第6期502-508,共7页
从第一原理结合能曲线反演得到同种及异种原子间相互作用势,并以此对Ni_3Al中合金元素的择优替位行为进行了系统地研究。考虑长程作用,并利用对多个弛豫样本求平均的方法,对不同含量合金下的择优替位行为进行了定量计算。以不同组态下... 从第一原理结合能曲线反演得到同种及异种原子间相互作用势,并以此对Ni_3Al中合金元素的择优替位行为进行了系统地研究。考虑长程作用,并利用对多个弛豫样本求平均的方法,对不同含量合金下的择优替位行为进行了定量计算。以不同组态下结合能的相对大小作为合金元素选择性替位的判据,计算结果与实验符合良好。对实验上尚不存在的一些合金元素的替位行为及表面、界面上部分元素的择优替位行为给出了理论预言。 展开更多
关键词 择优替位 Ni3A1 第一原理势 金属间化合物
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Ag表面性质的第一原理计算 被引量:5
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作者 李贵发 彭平 +1 位作者 陈律 胡艳军 《贵金属》 CAS CSCD 2006年第2期5-13,共9页
采用第一原理赝势平面波方法,计算了Fcc-Ag晶体及其Ag(111)、Ag(110)与Ag(100)自由表面的能量、几何与电子结构。根据表面能的计算,预测了Ag表面的结构稳定性,结果表明密排Ag(111)面结构稳定性最好,低指数奇异面Ag(100)面次之,Ag(110)... 采用第一原理赝势平面波方法,计算了Fcc-Ag晶体及其Ag(111)、Ag(110)与Ag(100)自由表面的能量、几何与电子结构。根据表面能的计算,预测了Ag表面的结构稳定性,结果表明密排Ag(111)面结构稳定性最好,低指数奇异面Ag(100)面次之,Ag(110)面的结构稳定性最差。通过对不同表面几何与电子结构的比较,初步分析了其结构稳定性差异的产生原因。表面原子驰豫不仅引起表面几何结构的变化,而且使表面层的电子结构与键合特性发生改变。驰豫后表面层原子的部分价电子跑到了表面层以上的真空区,使表面层原子的电子态密度峰形发生变化,还新形成了表面态,这是表面能产生的主要原因,而Ag(110)表面相对于Ag(111)与Ag(110)表面具有高表面活性的主要原因则源于其表面层原子显著的结构驰豫。 展开更多
关键词 金属材料 Fcc—Ag 第一原理平面波方法 表面能 电子结构
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基于第一原理的Li嵌入路径的计算机模拟 被引量:1
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作者 刘慧英 蔡娜丽 朱梓忠 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2005年第6期664-669,共6页
为了研究锂离子电池负极材料InSb的L i嵌入过程,使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了L i离子电池非碳类负极材料InSb在L i嵌入时的125相不同情况下的总能、平衡体积和各相间转换的L i嵌入形成能及相对体积变化等,进而参考电压... 为了研究锂离子电池负极材料InSb的L i嵌入过程,使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了L i离子电池非碳类负极材料InSb在L i嵌入时的125相不同情况下的总能、平衡体积和各相间转换的L i嵌入形成能及相对体积变化等,进而参考电压轮廓实验曲线,筛选出了中间经历两相的最可能的反应路径为L i+In4Sb4→L i1In4Sb4,2L i+L i1In4Sb4→L i3In4Sb4,9L i+L i3In4Sb4→L i12Sb4+4 In;中间经历三相的最可能的反应路径为L i+In4Sb4→L i1In4Sb4,2L i+L i1In4Sb4→L i3In4Sb4,4L i+L i3In4Sb4→L i7In3Sb4+In,5L i+L i7In3Sb4→L i12Sb4+3 In。计算了L i3Sb的晶格常数、总能等,讨论了其能带结构和电子态密度等性质。结果表明:随着L i嵌入到InSb中并生成L i3Sb,其体积略有膨胀,材料发生了由半导体性到金属性又到半导体性的转变。 展开更多
关键词 Li嵌入路径 锑化铟 第一原理 锑化锂 计算机模拟
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hcp-,fcc-和bcc-Sc晶格稳定性的第一原理研究 被引量:1
4
作者 陶辉锦 刘玲 +2 位作者 陈伟民 文杰斌 杨巧然 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2009年第5期299-305,共7页
分别采用第一原理总能赝势平面波的局域密度近似LDA(Localdensityapproximation)和广义梯度近似GGA(Generalizedgradientapproximation)两种近似方法计算hcp-,fcc-和bcc-Sc的晶格常数、总能和态密度,并将实验值与以上两种方法以及CALPHA... 分别采用第一原理总能赝势平面波的局域密度近似LDA(Localdensityapproximation)和广义梯度近似GGA(Generalizedgradientapproximation)两种近似方法计算hcp-,fcc-和bcc-Sc的晶格常数、总能和态密度,并将实验值与以上两种方法以及CALPHAD方法的计算结果进行对比研究,发现采用LDA和GGA的计算结果均为ΔGbcc-hcp>ΔGfcc-hcp>0,与CALPHAD方法外推的结果ΔGfcc-hcp>ΔGbcc-hcp>0不一致。用LDA方法计算的hcp-,fcc-和bcc-Sc的晶格常数和原子体积较GGA方法的计算结果小,但总能绝对值偏大。LDA方法与GGA方法的态密度曲线形状基本一致,但LDA得到的s和p态电子占据数比GGA方法的偏小。 展开更多
关键词 SC 晶格稳定性 第一原理总能平面波赝 LDA GGA
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Li_3Sn的电子和几何结构:第一原理计算 被引量:3
5
作者 陈国桢 吴顺情 朱梓忠 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期35-38,共4页
CuSn化合物在近来的锂电池负极材料研究中引起了相当的重视.使用基于混合基表示的第一原理赝势法,研究了Li插入CuSn完全替代了Cu而且占满所有间隙位置后形成的Li3Sn的电子与几何结构性质.给出了其"结构~能量"关系图,电子能... CuSn化合物在近来的锂电池负极材料研究中引起了相当的重视.使用基于混合基表示的第一原理赝势法,研究了Li插入CuSn完全替代了Cu而且占满所有间隙位置后形成的Li3Sn的电子与几何结构性质.给出了其"结构~能量"关系图,电子能带结构,电子态密度以及电荷密度分布等. 展开更多
关键词 几何结构 计算 Li3Sn 第一原理 电子结构 锂离子电池 负极材料
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Mg_2Sn的Li嵌入形成能的从头计算 被引量:1
6
作者 侯柱锋 吴良根 +1 位作者 吴荣钦 朱梓忠 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期310-313,共4页
Mg2Sn是近来很受重视的锂电池负极材料.使用基于混合基表示的第一原理赝势法,计算了Mg2Sn的各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构.讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质.计算表明,锂嵌入到主体材... Mg2Sn是近来很受重视的锂电池负极材料.使用基于混合基表示的第一原理赝势法,计算了Mg2Sn的各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构.讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质.计算表明,锂嵌入到主体材料的间隙位置时平均每个锂原子的形成能都大致在2.2eV. 展开更多
关键词 锂电池 负极材料 Mg2Sn 锂原子嵌入 形成能 从头计算 第一原理 电子结构
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高压下MgS的弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:2
7
作者 陈中钧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第17期445-449,共5页
采用基于密度泛函理论(density functional theory)基础上的第一性原理赝势平面波方法,计算研究了MgS晶体B2构型在不同压强下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.计算结果表明,在高压作用下,该结构的导带能级有向高能级移动的趋... 采用基于密度泛函理论(density functional theory)基础上的第一性原理赝势平面波方法,计算研究了MgS晶体B2构型在不同压强下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.计算结果表明,在高压作用下,该结构的导带能级有向高能级移动的趋势,而价带能级有向低能级移动的趋势.同时,对照态密度分布图及高压下能级的移动情况,分析了MgSB2构型在高压作用下的光学性质,发现高压作用下,吸收光谱发生了明显的蓝移. 展开更多
关键词 MgS 第一原理平面波方法 电子结构 高压
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锂电池负极材料CuSn的电子和几何结构 被引量:4
8
作者 吴良根 李爱玉 朱梓忠 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期181-184,共4页
使用基于混合基表示的第一原理赝势法 ,研究了CuSn化合物的电子与几何结构性质 .得出CuSn二元化合物在NaCl结构、CsCl结构、闪锌矿结构、WC结构、NiAs结构和四角结构 (在CsCl结构计算的基础上 ,再沿C轴畸变 )下的体系“能量 体积”的关... 使用基于混合基表示的第一原理赝势法 ,研究了CuSn化合物的电子与几何结构性质 .得出CuSn二元化合物在NaCl结构、CsCl结构、闪锌矿结构、WC结构、NiAs结构和四角结构 (在CsCl结构计算的基础上 ,再沿C轴畸变 )下的体系“能量 体积”的关系 ,即能量与结构相图 ;还给出了最稳定相的能带结构、电子态密度以及电荷密度分布等性质 ,也讨论了CuSn在最稳定的NiAs结构下电子键合性质的特点 .计算得到的CuSn能量最低结构为NiAs结构 。 展开更多
关键词 CuSn 电子结构 晶体结构 第一原理
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AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心 被引量:1
9
作者 肖细凤 康俊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期83-86,共4页
在测得Al0.26Ga0.74As:Sn混晶中两类类DX中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能.采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Sn施主杂质次近邻Al/Ga原子的不同局域... 在测得Al0.26Ga0.74As:Sn混晶中两类类DX中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能.采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Sn施主杂质次近邻Al/Ga原子的不同局域组分所引起的Sn杂质及其最近邻As原子的不同晶格驰豫,是产生两类类DX中心能级精细结构的主要原因. 展开更多
关键词 AlGaAs∶Sn 第一原理 类DX中心.
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MgS晶体结构性质的密度泛函研究 被引量:8
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作者 陈中钧 肖海燕 祖小涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5301-5307,共7页
采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度... 采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化. 展开更多
关键词 MgS 第一原理平面波方法 电子结构 转化压力 密度泛函理论(DFT) 结构性质 MgS 晶体 带隙宽度 第一原理 计算结果 系统研究 构型
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First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg_2Si 被引量:4
11
作者 CHEN Qian XIE Quan ZHAO FengJuan CUI DongMeng LI XuZhen 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第21期2236-2242,共7页
A detailed theoretical study on structural,electronic and optical properties of Mg2Si under the isotropic lattice deformation was performed based on the first-principles pseudopotential method.The results show that th... A detailed theoretical study on structural,electronic and optical properties of Mg2Si under the isotropic lattice deformation was performed based on the first-principles pseudopotential method.The results show that the isotropic lattice deformation results in a linear decrease in the energy gap for the directΓ15-Γ1 and indirectΓ15-L1 transitions from 93%to 113%,while the indirect band gapΓ15-X1 increases from 93%to 104%and then reduces over 104%.When the crystal lattice is 93%compressed and 113% stretched,the magnesium silicide is a zero-gap semiconductor.Furthermore,the isotropic lattice deformation makes the dielectric function shift and the static dielectric constant change. 展开更多
关键词 第一原理 MG2SI 电子结构 光学性质 晶格变形 计算 各向同性 静态介电常数
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