AgSnO_(2)触头材料在Ni-S共掺杂下的第一原理性计算

该研究采用掺杂的方式对SnO_(2)的导电性能进行改良,基于密度泛函理论的第一性原理,运用CASTEP软件对单掺杂Ni-SnO_(2)、S-SnO_(2)和共掺杂Ni-S-SnO_(2)的晶格参数、能带结构、电子态密度进行了计算,并对其电荷布居进行了分析.结果表明:S单掺杂时,晶胞体积略微增大;Ni单掺杂时,晶胞体积略微减小;而Ni-S共掺杂时,晶胞体积略微增大但增大幅度小于S单掺杂时的晶胞体积.与未掺杂相比,掺杂使得晶胞禁带减小、杂质能级增多、电子跃迁能减小,使其导电性增强,同时,掺杂使得费米能级附近峰值减小,局域性下降,原子间成键更强,材料更稳定.