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第一性原理软件北京原子技术模拟工具包的重构进展
被引量:
1
1
作者
马英晋
张坦
+1 位作者
何连花
金钟
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期79-86,共8页
基于第一性原理的理论方法的研究,代表了材料计算、分子模拟等领域的科学高地,相应的第一性原理计算软件直接关系到该领域相关理论、算法的积累.本文汇报了我们在重构第一性原理计算模拟软件—北京原子技术模拟工具包(BSTATE)的一些最...
基于第一性原理的理论方法的研究,代表了材料计算、分子模拟等领域的科学高地,相应的第一性原理计算软件直接关系到该领域相关理论、算法的积累.本文汇报了我们在重构第一性原理计算模拟软件—北京原子技术模拟工具包(BSTATE)的一些最新进展.重构的核心思想是降低用户使用门槛、扩展软件适用范围、增加软件对于流行计算框架的支持.基于此思路,在BSTATE原有Makefile编译系统的基础上添加了CMake编译环境,并支持各种数学函数库的自动和交互式配置;通过在原有内置泛函基础上增添Libxc泛函库的支持,使BSTATE支持的泛函数量有了数量级上的增长;分析测试BSTATE在集群的并行特点,并以更新数学库接口(FFTW3、Cufftw)的形式提供对于流行异构框架的初步支持.
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关键词
第一性原理软件
密度泛函理论
北京原子技术模拟工具包
软件
重构
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职称材料
3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究
被引量:
8
2
作者
张云
邵晓红
王治强
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期5652-5660,共9页
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原...
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.
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关键词
SIC
电子结构
掺杂
第一性原理软件
原文传递
题名
第一性原理软件北京原子技术模拟工具包的重构进展
被引量:
1
1
作者
马英晋
张坦
何连花
金钟
机构
中国科学院计算机网络信息中心
中国科学院计算科学应用研究中心
北京凝聚态物理国家研究中心
中国科学院大学物理科学学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期79-86,共8页
基金
国家重点研发计划(批准号:2017YFB0202202)
中国科学院信息化专项(批准号:XXH13506-403)
国家自然科学基金(批准号:21703260)资助的课题~~
文摘
基于第一性原理的理论方法的研究,代表了材料计算、分子模拟等领域的科学高地,相应的第一性原理计算软件直接关系到该领域相关理论、算法的积累.本文汇报了我们在重构第一性原理计算模拟软件—北京原子技术模拟工具包(BSTATE)的一些最新进展.重构的核心思想是降低用户使用门槛、扩展软件适用范围、增加软件对于流行计算框架的支持.基于此思路,在BSTATE原有Makefile编译系统的基础上添加了CMake编译环境,并支持各种数学函数库的自动和交互式配置;通过在原有内置泛函基础上增添Libxc泛函库的支持,使BSTATE支持的泛函数量有了数量级上的增长;分析测试BSTATE在集群的并行特点,并以更新数学库接口(FFTW3、Cufftw)的形式提供对于流行异构框架的初步支持.
关键词
第一性原理软件
密度泛函理论
北京原子技术模拟工具包
软件
重构
Keywords
first principle computational software
density-functional theory
Beijing Simulation Tool for Atom TEchnology
Software refactoring
分类号
O562 [理学—原子与分子物理]
TP319 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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职称材料
题名
3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究
被引量:
8
2
作者
张云
邵晓红
王治强
机构
北京化工大学理学院
中国科学院光电研究院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期5652-5660,共9页
基金
国家自然科学基金重点项目(批准号:No.20736002)资助的课题~~
文摘
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.
关键词
SIC
电子结构
掺杂
第一性原理软件
Keywords
SiC
electronic structure
doping
VASP
分类号
O483 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
第一性原理软件北京原子技术模拟工具包的重构进展
马英晋
张坦
何连花
金钟
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
2
3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究
张云
邵晓红
王治强
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
8
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
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