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基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞
被引量:
3
1
作者
王经纬
巩锋
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期1089-1094,共6页
介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞(HgCdSe)的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si(211)和GaSb(211)的最新研究情况。通过与碲镉汞(HgCdTe)材料的对比可看出,硒镉汞材料的性能优良,比碲镉汞性能更稳定、更易生长,并且有较...
介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞(HgCdSe)的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si(211)和GaSb(211)的最新研究情况。通过与碲镉汞(HgCdTe)材料的对比可看出,硒镉汞材料的性能优良,比碲镉汞性能更稳定、更易生长,并且有较为成熟的衬底材料,辅以在同是汞基材料-碲镉汞上面所取得的生长经验,有望成为替代碲镉汞的下一代红外探测材料,极具应用前景。
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关键词
硒镉汞
分子束外延
第三代焦平面器件
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职称材料
题名
基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞
被引量:
3
1
作者
王经纬
巩锋
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期1089-1094,共6页
文摘
介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞(HgCdSe)的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si(211)和GaSb(211)的最新研究情况。通过与碲镉汞(HgCdTe)材料的对比可看出,硒镉汞材料的性能优良,比碲镉汞性能更稳定、更易生长,并且有较为成熟的衬底材料,辅以在同是汞基材料-碲镉汞上面所取得的生长经验,有望成为替代碲镉汞的下一代红外探测材料,极具应用前景。
关键词
硒镉汞
分子束外延
第三代焦平面器件
Keywords
HgCdSe
MBE
3rd generation IRFPAs
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞
王经纬
巩锋
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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