矩形离子阱在第三稳定区内的捕获效率模拟研究

矩形离子阱(RIT)凭借结构简单、捕获能力强、存储容量大等优点一直被广泛应用。为进一步提高RIT分析能力,本文研究了RIT在第三稳定区的离子捕获能力,并分析了不同端盖电压下离子初始动能对RIT捕获能力的影响,对其显示出的较低捕获能力进行了分析。离子从离子阱外部在初始动能的作用下穿过离子阱入口端盖电极的通孔,进入阱内时受到端盖电极以及x,y电极的影响,从而造成离子损失。对传统RIT几何结构进行了优化,在相同初始动能下降低了不均匀电场对飞行离子的影响,从而降低离子消耗。研究结果表明:在端盖电极电压EC为60 V,且离子初始动能为6 eV时,RIT捕获效率能够达到89%,既保留了RIT结构简单的优点,又达到了较高的捕获能力。