意法半导体第二代MDmesh高压功率MOSFET技术

意法半导体（ST Microelectronics）推出第一批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源（SMPS）、功率因数校正器（PFC）和电源适配器。与第一代Mdmesh产品相比，新一代产品的效率明显提升，在新的电源转换器设计中，能够大幅度降低成本，提高系统可靠性。ST的MDmesh（多重漏极网格）工艺的出色性能源自一种创新的漏极结构，漏极是由隔离物组成的阵列结构，纵向的P-型漏极条作为漏极体的延伸，沿很薄的水平n-型源极条排列。

第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值.

SiGe半导体推出第二代WiMAX功率放大器SE7271T

SiGe半导体公司进一步扩展其功率放大器产品系列,推出能够覆盖2.3-2.4GHz和2.5-2.7GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T,

SiGe半导体推出采用小型QFN封装的第二代WiMAX功率放大器

SiGe半导体公司进一步扩展其功率放大器产品系列,推出能够覆盖2.3～2.4GHz和2.5～2.7GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T,该器件能够减少材料清单（BOM）数目,降低成本,

SiGe半导体推出采用小型QFN封装的更高效第二代WiMAX功率放大器

全球领先的硅基射频（RF）功率放大器和前端模块（FEM）供应商SiGe半导体公司进一步扩展其功率放大器产品系列,推出能够覆盖2.3GHz～2.4GHz和2.5GHz～2.7GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T,该器件能够减少材料清单（BOM）数目,降低成本,适用于USB适配器（dongle）、数据卡、移动互联网设备和具有WiMAX功能的手机。

基本半导体:将SiC功率器件提携至高光之下

随着功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展,传统的硅基功率半导体器件及其材料越来越接近物理极限,再往下发展的空间很有限。因而业界纷纷将目光转向以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料,以期开发出更能适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的功率半导体器件。目前,国内外功率半导体大厂正在加紧布局中。

车规级功率器件的封装关键技术及封装可靠性研究进展

半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综述了车规级功率器件的封装关键技术和封装可靠性研究进展,通过系统地归纳适应市场发展需求的车规级功率器件封装结构,总结了封装设计关键技术和先进手段,同时概述了封装可靠性研究面临的挑战。深入探讨了车规级功率器件封装设计和封装可靠性的重要问题,在此基础上,借鉴总结已有的研究成果,提出了可行的解决方案。

飞兆半导体推出第二代XSTM DrMOS应用解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）最近推出第二代XSTM DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC—DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm。PQFNIntelDrMOSv4．0标准封装。

凭借第二代Airfast功放,飞思卡尔继续扩大RF领导地位 Airfast RF功率LDMOS器件打破了50%的Doherty效率瓶颈

RF功率行业的领导者飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案，为高级无线架构设备（包括GSM／UMTS、CDMA／W-CDMA、LTE和TD-LTE应用）提供了全新级别的性能。

第二代有机电致发光显示：高功率、超长寿命、低成本OLED器件

第一代有机电致发光器件使用的是底部发光的结构，因而其效率较低，但工作电压却较高，目前，许多具有高效率且使用柔软低成本基板的有机电致发光结构已经制成功。在实现这些优越性能时，电子掺杂传输层起着重要的作用。首先讨论效率非常高的单色和白光Pin型有机电致发光结构，其次展示非常便于进行光学外耦合项部发光有机发光电致发光器件，最后证实Pin型OLED具有非常长的寿命。

飞思卡尔凭借第二代Airfast功率放大器解决方案扩大RF技术的优势

RF功率行业的解决方案供应商飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案，为高级无线架构设备（包括GSM／UMTS、CDMA／W－CDMA、LTE和TD－LTE应用）提供了全新级别的性能。飞思卡尔最新的Airfast系列RF功率解决方案基于成功且具备卓越性能的上一代产品，包含了28V独立和单级功率放大器。在充分利用并增强了第一代Airfast电路、模具、匹配网络和封装技术的基础上，飞思卡尔凭借新一代Airfast技术（包括推出的RF功率LDMOS部件，从而在Doherty配置中提高50％的效率）实现了业内的又一里程碑。此外，第二代Airfast功率放大器还扩展了其产品组合以包括两级集成式电路，从而将多个增益级合并到一个封装中；并添加了全新的基于氮化镓（GaN）的服务和48VLDMOS工艺技术。

长电科技加速扩充中大功率器件成品制造产能

新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创新前沿,多年来面向第三代半导体功率器件开发完成的高密度成品制造解决方案进入产能扩充阶段,预计2024年起相关产品营收规模翻番,将有利促进第三代半导体器件在全球应用市场的快速上量。

第二代功率因素校正解决方案

在所有的电力电子设备中获取最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

腾讯科技第二代中间总线变换器的功率等级达到450W

腾讯科技推出了新的Typhoon超高效率系列1／4砖中间总线变换器，它们的输出功率比上一代的模块增加了50％。这个系列包含IBC38AQT，它应用非可调、固定变比的开关变压器，用于计算机；同时包含两个应用半调节开关变压器的型号，分别是输入宽范围用于电信设备的IBC28AQW和用于网络系统的IBC30AQS。所有的三个IBC都采用新的、领先的变换技术来增大效率和功率密度。

Symwave发表第二代USB 3.0储存控制器可显着降低功率、系统成本与尺寸

芯微科技（Symwave）在台北国际电脑展期间宣布，第二代USB3．0储存控制器SW6313现在已可立即供货。此器件已为成本敏感与便携式储存产品进行优化设计．是业界具有最低功耗与最高效能的解决方案。Symwave的现有客户将能受益于这款新器件与第一代器件的软体兼容性，包括于2009年底开始进入量产的SW6316。

面向多种电源应用的第二代碳化硅肖特基二极管

功率因数纠正（PFC）市场在很大程度上是由降低总谐波失真（THD）全球性法规推动的。欧洲的EN61000—3—2是面向AC／DC电源市场的基本法规之一，在英国、日本和中国也有类似的法规。EN61000—3—2确定了任何功耗超过75W的离线应用的谐波标准。由于北美没有针对PFC的相应法规，因此节能和空间／价格因素成为消费、计算机和通信领域使用PFC电源的推动力。

第二代日产Xterra北美上市

2005年推出的第二代日产Xterra（国内称为帕拉丁，目前国产帕拉丁仍然为第一代车型）比老款拥有更大的车内空间和动力．同时具有更强大的越野能力。新车搭载了最大功率为197kW的40L V6发动机。

Qorvo助力GAPWAVES推出第二代28GHz有源5G天线

Qorvo助力Gapwaves推出其最新第二代28 GHz有源5G天线。本次推出的新品是继2018年8月面世的有源天线之后的又一力作,采用 Qorvo GaN on SiC 技术。第二代28 GHz 有源天线具有高 EIRP 和低功耗性能,同时还保持良好的热操作性能,这都离不开Qorvo功率放大器的性能支持。采用了 Gapwaves 的波导天线技术和Qorvo的GaN 前端模块的解决方案,可以更好地满足5G移动接入和固定无线接入网络未来性能需求。

第四代高压大功率变频器

长期以来，东方日立一直专注于高压变频器领域的研发与创新。从1999年第一代高压大功率变频器面世、N2001年的第二代、2003年的第三代、乃至即将推出的第四代高压大功率变频器，东方日立经历了多年的锤炼，每一代变频器的推出均以其创新的设计引起国内变频器厂家群起模仿。

赛特力公司推出第二代超声骨刀——Piezotome 2

赛特力公司一代骨刀Piezotome的很多临床作用都已经被熟知,可用于骨切割、上颌窦外提升、内提升及拔牙,二代超声骨刀——Piezotome 2功能更加强大。 .快速：采用新技术后,超声功率大幅增强了,使Piezotome 2具有了不可思议的速度,同时还保持了选择性切割的特性。