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高分辨率经颅直流电刺激对第二外语联想记忆能力的影响
被引量:
1
1
作者
郝学元
张诚超
+1 位作者
徐星亮
王天宇
《航天医学与医学工程》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期448-454,共7页
目的基于联想记忆表现评估经颅直流电刺激对联想记忆能力的影响,选取最优刺激靶点。方法将15名志愿者随机分成刺激组和对照组,分别分批使用高分辨率经颅直流电真/伪刺激左侧顶下小叶(P3)和左前额叶(F3)。评估刺激前后第二外语记忆能力,...
目的基于联想记忆表现评估经颅直流电刺激对联想记忆能力的影响,选取最优刺激靶点。方法将15名志愿者随机分成刺激组和对照组,分别分批使用高分辨率经颅直流电真/伪刺激左侧顶下小叶(P3)和左前额叶(F3)。评估刺激前后第二外语记忆能力,记录正确情况和反应时间。将记录到的数据进行配对样本t检验,分析其经颅直流电刺激对联想学习表现的影响,比较靶点优劣。结果对受试者施加1.5mA经颅直流电刺激后,分析刺激前后记忆表现数据变化,发现受试者在两次刺激后联想记忆能力均得到加强(P<0.05)。两靶点刺激均有益于提升关于第二外语联想记忆能力。靶点间对比无显著性差异(P>0.05)。结论左侧顶下小叶和左前额叶均可以作为有效靶点提升第二外语学习表现。
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关键词
经颅直流电刺激
联想
学习
第二外语学习任务
最优靶点
记忆能力
下载PDF
职称材料
题名
高分辨率经颅直流电刺激对第二外语联想记忆能力的影响
被引量:
1
1
作者
郝学元
张诚超
徐星亮
王天宇
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院
出处
《航天医学与医学工程》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期448-454,共7页
基金
国家自然科学基金面上项目(61977039)。
文摘
目的基于联想记忆表现评估经颅直流电刺激对联想记忆能力的影响,选取最优刺激靶点。方法将15名志愿者随机分成刺激组和对照组,分别分批使用高分辨率经颅直流电真/伪刺激左侧顶下小叶(P3)和左前额叶(F3)。评估刺激前后第二外语记忆能力,记录正确情况和反应时间。将记录到的数据进行配对样本t检验,分析其经颅直流电刺激对联想学习表现的影响,比较靶点优劣。结果对受试者施加1.5mA经颅直流电刺激后,分析刺激前后记忆表现数据变化,发现受试者在两次刺激后联想记忆能力均得到加强(P<0.05)。两靶点刺激均有益于提升关于第二外语联想记忆能力。靶点间对比无显著性差异(P>0.05)。结论左侧顶下小叶和左前额叶均可以作为有效靶点提升第二外语学习表现。
关键词
经颅直流电刺激
联想
学习
第二外语学习任务
最优靶点
记忆能力
Keywords
transcranial direct current stimulation
associative learning
second foreign language learning task
optimal target
memory ability
分类号
TM93 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高分辨率经颅直流电刺激对第二外语联想记忆能力的影响
郝学元
张诚超
徐星亮
王天宇
《航天医学与医学工程》
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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职称材料
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引证文献
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