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调制掺杂Al_(x)Ga_(1-x)NGaN异质结磁输运研究(英文)
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作者 郑泽伟 沈波 +8 位作者 张荣 桂永胜 蒋春萍 马智训 郑国珍 郭少令 施毅 韩平 郑有炓 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期381-384,共4页
通过低温和高磁场下的磁输运测量 ,首次在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫 德哈斯振荡的双周期特性 ,发现在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气 (2DEG)的第二子带占据 ,发生第二子带占据的阈值 ... 通过低温和高磁场下的磁输运测量 ,首次在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫 德哈斯振荡的双周期特性 ,发现在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气 (2DEG)的第二子带占据 ,发生第二子带占据的阈值 2DEG浓度估算为 7.2× 1 0 12 cm- 2 ,在阈值 2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为 75meV。 展开更多
关键词 异质结 第二子带占据 氮化镓 磁输运 二维电子气
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