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GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
1
作者
闫金良
赵银女
朱长纯
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期252-254,共3页
Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极的分辨力是第3 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ga As/ Ga Al As 透射式阴极的调制传递函数( Fm ,t) ,计算了2 μm 厚 Ga As 阴...
Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极的分辨力是第3 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ga As/ Ga Al As 透射式阴极的调制传递函数( Fm ,t) ,计算了2 μm 厚 Ga As 阴极层的 Ga As/ Ga Al As 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。
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关键词
成像器件
GaAs/GaAlAs光电阴极
分辨力
量子效率
第3代像增强器
下载PDF
职称材料
题名
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
1
作者
闫金良
赵银女
朱长纯
机构
西安交通大学电信学院
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期252-254,共3页
基金
"九五"预研资助项目
文摘
Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极的分辨力是第3 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ga As/ Ga Al As 透射式阴极的调制传递函数( Fm ,t) ,计算了2 μm 厚 Ga As 阴极层的 Ga As/ Ga Al As 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。
关键词
成像器件
GaAs/GaAlAs光电阴极
分辨力
量子效率
第3代像增强器
Keywords
imaging device,GaAs/GaAlAs photocathode, resolution, quantum efficiency, third generation intensifier
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
闫金良
赵银女
朱长纯
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
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