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CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响 被引量：4
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作者 柯福顺 付相宇 +4 位作者 段国玉 吴松 王松有 陈良尧 贾瑜 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期212-216,共5页
利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的形成能.中间能带的出现实现了材料... 利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的形成能.中间能带的出现实现了材料对低能光子的吸收,增强了其对太阳光谱中红外波段的能量利用,从理论上预言CrO共掺GaN作为第3代太阳能电池的半导体材料的可行性. 展开更多
关键词 第3代太阳能电池 GAN 第一性原理 共掺杂
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